[发明专利]一种3D晶圆环切后的定位方法在审
| 申请号： | 202011239336.5 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN112509960A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 李峰;杨健;张光明 | 申请（专利权）人： | 太极半导体（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246 | 代理人： | 于浩江 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 圆环 定位 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种3D晶圆环切后的定位方法，其特征在于：先对晶圆（1）进行环切，去除晶圆（1）外圈的厚度异常部位（2），再对环切后的晶圆（1）进行两道平切，加工出一道短边（3）和一道长边（4）；通过物理方式对短边（3）的一侧进行定位，通过感光传感器识别长边（3），进行长边一侧的定位。
2.根据权利要求1所述的3D晶圆环切后的定位方法，其特征在于：所述短边（3）与长边（4）的中心线互相垂直。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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