[发明专利]晶锭剥离方法及晶锭剥离装置

说明书

本申请实施例提供一种晶锭剥离方法及晶锭剥离装置，属于半导体衬底制备技术领域。晶锭剥离方法包括：将激光束聚焦于位于磁流变液中的晶锭内预设深度处，通过激光束完成对晶锭的预设深度处的预设剥离面的扫描加工，以使预设剥离面处形成改质层。对磁流变液施加磁场，使得磁流变液相对晶锭运动以磨抛并去除改质层。晶锭剥离装置用于进行晶锭剥离方法。激光剥离的过程中能够实现磨抛，在有效改善剥离表面质量的情况下，能够提高加工效率。

技术领域

本申请涉及半导体衬底制备技术领域，具体而言，涉及一种晶锭剥离方法及晶锭剥离装置。

背景技术

晶圆作为半导体技术领域的核心材料，一定程度上直接决定了半导体元器件的制造水平。通过金刚石工具切割晶锭直接获取晶圆的方式，存在材料损耗大、工具磨损严重；对于硬脆材料更是极易产生致命的微裂纹及崩边缺陷，导致材料报废。

激光加工技术能够较好地解决上述问题，但剥离得到的晶圆表面仍需通过后续的磨抛加工提高表面质量，以此获得晶圆成品。而分散的加工工序不仅降低了加工效率，而且难以管控剥离质量。

现有技术中，在一些情况下，通过在激光加工设备上设置辅助磁场，通过磁场有效影响激光加工过程中的熔池流动、传热和等离子体的运动方向，以实现大尺寸、形状复杂的工件抛光，还可解决抛光过程中熔池飞溅、冷却温度不均及由抛光面积大引起的缺陷。上述方法虽然可以有效对材料表面进行加工，但是无法对材料内部进行处理，因此仍无法解决加工工序分散存在的问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种晶锭剥离方法及晶锭剥离装置，激光剥离的过程中能够实现磨抛，在有效改善剥离表面质量的情况下，能够提高加工效率。

本申请的实施例是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供一种晶锭剥离方法，包括：

将激光束聚焦于位于磁流变液中的晶锭内预设深度处，通过激光束完成对晶锭的预设深度处的预设剥离面的扫描加工，以使预设剥离面处形成改质层。

对磁流变液施加磁场，使得磁流变液相对晶锭运动以磨抛并去除改质层。

第二方面，本申请实施例提供一种晶锭剥离装置，用于进行如第一方面实施例提供的晶锭剥离方法，包括：容置本体、激光组件、运动平台以及磁组件。

具有用于容置磁流变液和晶锭的容置腔。

激光组件用于对容置于容置腔内的晶锭发射聚焦于晶锭内预设深度处的激光束。

运动平台设置于容置本体和/或激光组件，以使激光束能够完成对晶锭的预设深度处的预设剥离面的扫描加工。

磁组件用于对容置于容置腔内的磁流变液施加磁场。

本申请实施例提供的晶锭剥离方法和晶锭剥离装置，有益效果包括：

将激光束聚焦于晶锭内预设深度处进行预设剥离面的扫描加工，在预设剥离面处形成改质层。通过对磁流变液施加磁场，使得磁流变液体在相对晶锭运动，利用磁流变液中的磁性颗粒对改质层进行磨抛以去除改质层。上述方法，在通过去除改质层进行剥离的同时，能够实现对剥离表面的磨抛，在有效改善剥离表面质量的情况下，提高加工效率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为现有技术的晶锭剥离方法的流程示意图；

图2为现有技术的晶锭剥离方法中，晶锭的剥离状态图；

图3为本申请实施例提供的晶锭剥离装置实施晶锭剥离方法的示意图；