[发明专利]晶锭剥离方法及晶锭剥离装置

权利要求书

1.一种晶锭剥离方法，其特征在于，包括：

将激光束聚焦于位于磁流变液中的晶锭内预设深度处，通过所述激光束完成对所述晶锭的所述预设深度处的预设剥离面的扫描加工，以使所述预设剥离面处形成改质层；以及

对所述磁流变液施加磁场，使得所述磁流变液相对所述晶锭运动以磨抛并去除所述改质层。

2.根据权利要求1所述的晶锭剥离方法，其特征在于，所述通过所述激光束完成对所述晶锭的所述预设深度处的预设剥离面的扫描加工的步骤中，包括：将所述激光束从所述晶锭的边缘向内部进行相对运动。

3.根据权利要求2所述的晶锭剥离方法，其特征在于，所述激光束对所述预设剥离面进行多次扫描，每次扫描沿第一预设方向从所述晶锭的一侧边缘运动至另一侧边缘，多次扫描沿第二预设方向从所述晶锭的一侧边缘运动至另一侧边缘，所述第一预设方向和所述第二预设方向均相互垂直且均与所述预设剥离面平行。

4.根据权利要求3所述的晶锭剥离方法，其特征在于，所述通过所述激光束完成对所述晶锭的所述预设深度处的预设剥离面的扫描加工的步骤中，将所述磁场沿所述第二预设方向移动。

5.根据权利要求4所述的晶锭剥离方法，其特征在于，所述磁场具有与所述改质层对应且平行于所述预设剥离面的作用磁感线，所述作用磁感线沿所述第一预设方向延伸。

6.根据权利要求1～5任一项所述的晶锭剥离方法，其特征在于，对所述磁流变液施加磁场的步骤中，包括：在所述晶锭的两侧设置磁性相反的第一磁体和第二磁体，使得所述第一磁体和所述第二磁体之间形成所述磁场。

7.根据权利要求1所述的晶锭剥离方法，其特征在于，当所述晶锭剥离方法剥离得到的晶片的厚度为目标厚度时，使得所述预设深度超出所述目标厚度50μm～150μm。

8.根据权利要求1或7所述的晶锭剥离方法，其特征在于，所述激光束的脉宽为200fs～10ns、波长为355nm～1064nm且功率为1W～10W；

和/或，所述激光束相对所述晶锭的扫描速度为50mm/s～500mm/s。

9.根据权利要求1所述的晶锭剥离方法，其特征在于，所述晶锭的材质为碳化硅、氮化镓、硅或者蓝宝石；

和/或，所述磁流变液包括纳米级金刚石、亚微米级羰基铁粉、分散剂及防锈剂。

10.一种晶锭剥离装置，用于进行如权利要求1～9任一项所述的晶锭剥离方法，其特征在于，包括：

容置本体，具有用于容置所述磁流变液和所述晶锭的容置腔；

激光组件，用于对容置于所述容置腔内的所述晶锭发射聚焦于所述晶锭内所述预设深度处的所述激光束；

运动平台，设置于所述容置本体和/或所述激光组件，以使所述激光束能够完成对所述晶锭的所述预设深度处的所述预设剥离面的扫描加工；以及

磁组件，用于对容置于所述容置腔内的所述磁流变液施加所述磁场。