[发明专利]一种裸硅封装MOS管

说明书

本发明公开了一种裸硅封装MOS管，包括底板、陶瓷座和MOS管本体，所述陶瓷座固定连接在底板上表面，所述陶瓷座上表面中间位置开设有圆弧槽，所述圆弧槽内壁粘接有橡胶条，所述陶瓷座表面分别固定连接卡座和连接座，所述连接座顶端铰链连接顶板，所述顶板上表面固定连接肋条，所述顶板下表面中间位置固定连接橡胶座。本发明通过顶板对MOS管本体进行抗压保护，防磨损和防撞击性能好，肋条提高顶板的结构强度，防止变形和断裂，陶瓷座对MOS管本体支撑固定，具有防漏电保护效果，防止MOS管本体漏电传递至壳体表面，提高使用的安全性。

技术领域

本发明涉及MOS管相关技术领域，具体为一种裸硅封装MOS管。

背景技术

金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。

MOSFET共有三个脚，一般为G、D、S，通过G、S间加控制信号时可以改变D、S间的导通和截止。PMOS和NMOS在结构上完全相像，所不同的是衬底和源漏的掺杂类型。简单地说，NMOS是在P型硅的衬底上，通过选择掺杂形成N型的掺杂区，作为NMOS的源漏区；PMOS是在N型硅的衬底上，通过选择掺杂形成P型的掺杂区，作为PMOS的源漏区。两块源漏掺杂区之间的距离称为沟道长度L，而垂直于沟道长度的有效源漏区尺寸称为沟道宽度W。对于这种简单的结构，器件源漏是完全对称的，只有在应用中根据源漏电流的流向才能最后确认具体的源和漏。

但是，现有的裸硅封装MOS管在使用的时候存在以下缺点：

1、裸硅封装MOS管在相对壳体安装的时候，不具备抗压防撞保护，在组装的时候，MOS管受到磨损或者撞击，均会造成其功能的衰减，甚至造成报废；

2、裸硅封装MOS管与壳体之间直接安装，存在漏电的可能性，降低使用效果。

发明内容

本发明的目的在于提供一种裸硅封装MOS管，以解决上述背景技术中的裸硅封装MOS管在相对壳体安装的时候，不具备抗压防撞保护，在组装的时候，MOS管受到磨损或者撞击，均会造成其功能的衰减，甚至造成报废；裸硅封装MOS管与壳体之间直接安装，存在漏电的可能性，降低使用效果的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种裸硅封装MOS管，包括底板、陶瓷座和MOS管本体，所述陶瓷座固定连接在底板上表面，所述陶瓷座上表面中间位置开设有圆弧槽，所述圆弧槽内壁粘接有橡胶条，所述陶瓷座表面分别固定连接卡座和连接座，所述连接座顶端铰链连接顶板，所述顶板上表面固定连接肋条，所述顶板下表面中间位置固定连接橡胶座，通过顶板对MOS管本体进行抗压保护，防磨损和防撞击性能好，肋条提高顶板的结构强度，防止变形和断裂，陶瓷座对MOS管本体支撑固定，具有防漏电保护效果，防止MOS管本体漏电传递至壳体表面，提高使用的安全性。

优选的，所述顶板自由端下表面位置固定连接卡台，所述卡台外部套接有橡胶圈，MOS管本体底部插接在陶瓷座的圆弧槽内部，相对连接座转动顶板，顶板下方的橡胶座压合在MOS管本体上表面，方便快速安装，顶板的卡台插接在卡座内部，实现了对MOS管本体的压紧固定。

优选的，所述陶瓷座正面位置开设有置物槽，所述置物槽内部安装夹座，陶瓷座对MOS管本体支撑固定，具有防漏电保护效果，防止MOS管本体漏电传递至壳体表面，提高使用的安全性，通过在置物槽内部放置袋装干燥剂，具有很好的吸湿防潮功能，夹座对袋装干燥剂夹持固定，提高稳定性。