[发明专利]研磨装置、研磨机及研磨方法有效
| 申请号: | 202011231876.9 | 申请日: | 2020-11-06 |
| 公开(公告)号: | CN112518573B | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
| 发明(设计)人: | 陈兴松 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司 |
| 主分类号: | B24B37/10 | 分类号: | B24B37/10;B24B37/30;B24B53/007;B24B55/02;B24B7/22;H01L21/304;H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 刘长春 |
| 地址: | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 研磨 装置 研磨机 方法 | ||
本发明涉及一种研磨装置、研磨机及研磨方法,其中研磨装置,包括:工作台;旋转台,设置在工作台上;设置在旋转台上的至少一个真空吸盘;研磨盘,位于真空吸盘的上方;第一清洗装置,设置在旋转台上,以对研磨盘与真空吸盘接触部分的研磨区域进行清洗和冷却;第一清洗干燥装置,可活动地设置在工作台上,以对研磨后的硅片背面进行清洗干燥。本发明的研磨装置的第一清洗装置专门针对于研磨区域进行清洗和冷却,增强了冷却效果的同时减少了水资源的浪费,而且实现了在硅片研磨的同时进行清洗。
技术领域
本发明属于晶圆成型加工技术领域,具体涉及一种研磨装置、研磨机及研磨方法。
背景技术
硅片的研磨工艺,在半导体领域十分常见,主要有两个应用方面,一是在芯片制造完成后,将厚度多余的背面减薄,去掉不用的部分以利于后续封装测试工艺;二是在晶圆制作过程中,为提高硅片表面状态,增大平坦度,对硅片进行打磨,以利于后续抛光工艺进行。
现有的硅片研磨部件不可以在硅片研磨的同时进行清洗,另外,在研磨过程中,冷却水从磨轮的边缘喷出,用以对研磨区域进行冷却并将研磨的粉末带走,由于磨轮与硅片真正接触的部分约占磨轮的四分之一,但是冷却水排出孔均匀的分布在磨轮的圆周上,这样会使得其他四分之三的冷却水降温排泄的效果不明显,对水资源也是一种浪费。而且,由于硅片研磨过程中会产生大量的研磨硅粉和磨轮脱落物,现有的硅片的研磨部件不能及时清理排出研磨硅粉和磨轮脱落物,容易在硅片表面产生磨轮印,增大硅片的损伤层,降低了硅片的研磨质量。另外,现有的研磨装置通过将研磨后的硅片放置在旋转装置上,利用旋转装置高速旋转,对硅片进行清洗吹干,在该过程中硅片高速旋转,易出现硅片破裂。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题,本发明提供了一种研磨装置、研磨机及研磨方法。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现:
本发明提供了一种研磨装置,包括:
工作台;
旋转台,设置在所述工作台上;
设置在所述旋转台上的至少一个真空吸盘;
研磨盘,位于所述真空吸盘的上方;
第一清洗装置,设置在所述旋转台上,以对所述研磨盘与所述真空吸盘接触部分的研磨区域进行清洗和冷却;
第一清洗干燥装置,可活动地设置在所述工作台上,以对研磨后的硅片背面进行清洗干燥。
在本发明的一个实施例中,还包括第二清洗干燥装置,设置在所述真空吸盘的上方,以对所述真空吸盘或所述真空吸盘上装载的硅片进行清洗干燥。
在本发明的一个实施例中,还包括第二清洗装置,所述第二清洗装置设置在所述工作台上,且位于所述研磨盘的下方,以对非研磨区域的所述研磨盘进行清洗。
在本发明的一个实施例中,所述旋转台上设置有隔档件,两个所述真空吸盘关于所述隔档件对称设置。
在本发明的一个实施例中,所述第二清洗干燥装置通过伸缩装置与所述隔档件连接,以使所述第二清洗干燥装置伸出或收回。
在本发明的一个实施例中,所述伸缩装置包括:
电机,为所述第二清洗干燥装置的伸出或收回提供动力;
传动机构,与所述电机和所述第二清洗干燥装置连接,将所述电机的旋转运动转换为所述第二清洗干燥装置在水平面内的旋转运动;
控制器,与所述电机连接,以当在所述真空吸盘上装载或卸载硅片时,控制所述电机转动以使所述第二清洗干燥装置收回,当对所述硅片进行研磨时,控制所述电机转动以使所述第二清洗干燥装置伸出,或者控制所述电机停止转动以使所述第二清洗干燥装置停留在预设位置处。
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