[发明专利]显示面板及其制备方法

说明书

本发明公开了一种显示面板及其制备方法，所述显示面板包括：基板、第一有源层、第一功能结构层、第二有源层、第一电极层、第二功能结构层以及第二电极层，所述第一电极层具有第一电极走线，所述第二电极层具有第三电极走线；所述第三电极走线贯穿所述第二功能结构层并分别连接至所述第一电极走线和所述第二有源层的源极，形成桥接结构。本发明的技术效果在于，无需挖深孔实现两个有源层之间的搭接，降低工艺难度。

技术领域

本发明涉及显示领域，特别涉及一种显示面板及其制备方法。

背景技术

目前在显示面板领域，为了形成高响应速度高对比度高亮度的屏幕显示，OLED有机发光二极管技术在显示领域得到了大幅的发展。但是随着可穿戴设备以及可穿戴显示领域的发展，以及目前电池领域技术未得到显著突破的背景下，人们对显示设备的功耗要求越来越高。

目前用于驱动TFT和开关TFT的低温多晶硅LTPS技术是一种主流技术趋势，功耗较低。但是由于LTPS载流子迁移率较大，存在漏电流较高的问题。因此LTPO(Low TemperaturePolycrystalline-Si Oxide)低温多晶氧化物技术应运而生。它结合了LTPS和Oxide(如IGZO铟镓锌氧化物)两者的优异点，形成了一种响应速度快，功耗更低的LTPO解决方案。

但是LTPO因为同时采用了两种有源层，因此在进行深孔电性连接时，深孔工艺难度较大，而且很难形成小尺寸深孔，不易提高像素密度(PPI)。

发明内容

本发明的目的在于，解决现有LTPO显示装置中两种有源层之间的深孔搭接工艺难度大，像素密度低的技术问题。

为实现上述目的，本发明提供一种显示面板，包括：基板；第一有源层，设于所述基板一侧的表面；第一功能结构层，设于所述第一有源层远离所述基板一侧的表面；第二有源层，设于所述第一功能结构层远离所述基板一侧的表面，且所述第二有源层在所述基板上的正投影与所述第一有源层在所述基板上的正投影互不重合；第一电极层，设于所述第一功能结构层远离所述基板一侧的表面，所述第一电极层具有第一电极走线，所述第一电极走线贯穿所述第一功能结构层并连接至所述第一有源层的漏极；第二功能结构层，覆盖所述第一电极层和所述第二有源层；以及第二电极层，设于所述第二功能结构层远离所述基板一侧的表面，所述第二电极层具有第三电极走线；所述第三电极走线贯穿所述第二功能结构层并分别连接至所述第一电极走线和所述第二有源层的源极，形成桥接结构。

进一步地，所述第一电极层还具有第二电极走线；所述第二电极走线贯穿所述第一功能结构层并连接至所述第一有源层的源极。

进一步地，所述第二电极层还具有第四电极走线、第五电极走线和第六电极走线；所述第四电极走线贯穿所述第二功能结构层并连接至所述第二电极走线，所述第二电极走线和所述第四电极走线形成所述第一有源层的源极走线；所述第五电极走线贯穿所述第二功能结构层并连接至所述第一电极走线，所述第一电极走线与所述第五电极走线形成所述第一有源层的漏极走线；所述第六电极走线贯穿所述第二功能结构层并连接至所述第二有源层的漏极。

进一步地，所述第一功能结构层包括第一栅极绝缘层，设于所述基板上且覆盖所述第一有源层；第二栅极绝缘层，设于所述第一栅极绝缘层上；第一介电绝缘层，设于所述第二栅极绝缘层上；所述显示面板还包括第一栅极层，设于所述第一栅极绝缘层上且对应于所述第一有源层；第二栅极层；设于所述第二栅极绝缘层上且对应于所述第一有源层。

进一步地，所述第二功能结构层包括第三栅极绝缘层，设于所述第一介电绝缘层上；第二介电绝缘层，设于所述第三栅极绝缘层上；所述显示面板还包括第三栅极层，设于所述第三栅极绝缘层，所述第二介电绝缘层覆盖所述第三栅极层。