[发明专利]显示面板及其制备方法在审
| 申请号: | 202011231409.6 | 申请日: | 2020-11-06 |
| 公开(公告)号: | CN112420786A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
| 发明(设计)人: | 龚吉祥 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
第一有源层,设于所述基板一侧的表面;
第一功能结构层,设于所述第一有源层远离所述基板一侧的表面;
第二有源层,设于所述第一功能结构层远离所述基板一侧的表面,且所述第二有源层在所述基板上的正投影与所述第一有源层在所述基板上的正投影互不重合;
第一电极层,设于所述第一功能结构层远离所述基板一侧的表面,所述第一电极层具有第一电极走线,所述第一电极走线贯穿所述第一功能结构层并连接至所述第一有源层的漏极;
第二功能结构层,覆盖所述第一电极层和所述第二有源层;以及
第二电极层,设于所述第二功能结构层远离所述基板一侧的表面,所述第二电极层具有第三电极走线;所述第三电极走线贯穿所述第二功能结构层并分别连接至所述第一电极走线和所述第二有源层的源极,形成桥接结构。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一电极层还具有第二电极走线;
所述第二电极走线贯穿所述第一功能结构层并连接至所述第一有源层的源极。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述第二电极层还具有第四电极走线、第五电极走线和第六电极走线;
所述第四电极走线贯穿所述第二功能结构层并连接至所述第二电极走线,所述第二电极走线和所述第四电极走线形成所述第一有源层的源极走线;
所述第五电极走线贯穿所述第二功能结构层并连接至所述第一电极走线,所述第一电极走线与所述第五电极走线形成所述第一有源层的漏极走线;
所述第六电极走线贯穿所述第二功能结构层并连接至所述第二有源层的漏极。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一功能结构层包括
第一栅极绝缘层,设于所述基板上且覆盖所述第一有源层;
第二栅极绝缘层,设于所述第一栅极绝缘层上;
第一介电绝缘层,设于所述第二栅极绝缘层上;
所述显示面板还包括
第一栅极层,设于所述第一栅极绝缘层上且对应于所述第一有源层;
第二栅极层;设于所述第二栅极绝缘层上且对应于所述第一有源层。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,
所述第二功能结构层包括
第三栅极绝缘层,设于所述第一介电绝缘层上;
第二介电绝缘层,设于所述第三栅极绝缘层上;
所述显示面板还包括
第三栅极层,设于所述第三栅极绝缘层,所述第二介电绝缘层覆盖所述第三栅极层。
6.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一基板;
在所述基板的上表面制备出第一有源层;
在所述第一有源层的上表面制备出第一功能结构层;
形成贯穿所述第一功能结构层并连通至所述第一有源层源极和漏极的第一通孔;
形成第一电极层和所述第二有源层于所述第一功能结构层上,其中所述第一电极层中的第一电极走线从所述第一通孔延伸至所述第一有源层的漏极上;
形成所述第二功能结构层于所述第一功能结构层上且覆盖所述第一电极层和所述第二有源层;
形成贯穿所述第二功能结构层的第二通孔,其中一个第二通孔连通于所述第一电极走线上,另一个第二通孔连通于所述第二有源层上的源极;以及
形成第二电极层于所述第二功能结构层的上表面,其中所述第二电极层中的第三电极走线通过两个第二通孔连接至所述第一电极走线和所述第二有源层的源极,形成桥接结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011231409.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:重定向到信任设备的方法和系统
- 下一篇:一种风量、水量自动调节的空调器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





