[发明专利]图像传感器的POP封装结构及封装方法在审
申请号: | 202011231053.6 | 申请日: | 2020-11-06 |
公开(公告)号: | CN112201667A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 王国建;付义德;李政;吴剑华 | 申请(专利权)人: | 积高电子(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 无锡知之火专利代理事务所(特殊普通合伙) 32318 | 代理人: | 袁粉兰 |
地址: | 214000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 pop 封装 结构 方法 | ||
本发明公开了一种图像传感器的POP封装结构及封装方法,涉及半导体封装技术领域,封装结构包括集成封装于一体的第一基板、逻辑芯片、第二基板、图像传感器、第一支撑侧墙、透明板体、第二支撑侧墙、多个电连接逻辑芯片和第一基板的第一电性连接件、多个电性连接图像传感器及第二基板的第二电性连接件,本发明提供的图像传感器POP封装结构,免去了传统封装结构中的中间层结构,使得整体封装结构体积小、集成度高,可靠性好,在集成封装的同时能够提升图像传感器的实时信号处理及运算能力,提升了图像感测时的应用性能,此外本发明提供的图像传感器POP封装方法不涉及复杂的封装流程及封装材料,具有较高的封装效率,可降低生产制造成本,适合推广应用。
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域,尤其涉及一种图像传感器的POP封装结构及封装方法。
背景技术
图像传感器是数字图像设备的核心装置,可以将将光学图像信号转换成电子信号进行处理。现有技术中,一般将图像传感器及各类逻辑处理芯片分开封装,当需要组合使用时,会需要中间结构或中间电路进行连接,才能够应用于智能设备的电子电路中,从而便于终端设备进行光学图像的采集、电信号转换及信号处理,一方面,传统图像传感器的单独封装结构在使用时功能受限,另一方面图像传感器在与封装好的逻辑芯片电路进行组合使用时,存在整体结构体积占用较大、组合方式较为复杂等问题,不利于整体封装结构在智能电子设备中的小体积、高性能及高集成化应用。
发明内容
针对上述存在的问题,本发明提供一种图像传感器的POP封装结构及封装方法,不需要复杂的封装设备及封装工艺,通过对图像传感器和逻辑芯片进行集成式封装,相对于将图像传感器和逻辑芯片先分别封装再组合连接的方式来说,不存在额外的中间层连接结构,整体封装结构体积较小、集成度较高,封装结构及工艺均具有较低的实施成本。
为实现上述目的,本发明提供的技术方案为:
本发明提供的图像传感器的POP封装结构,包括:
第一基板,所述第一基板包括第一表面及第二表面,所述第二表面与所述第一表面相对;
逻辑芯片,所述逻辑芯片固定于所述第一基板上;所述逻辑芯片包括逻辑芯片上表面及逻辑芯片下表面,所述逻辑芯片上表面和所述逻辑芯片下表面相对;
第二基板,固定在所述逻辑芯片的上方,所述第二基板包括基板上表面及基板下表面,所述基板上表面与所述基板下表面相对;
图像传感器,设置在所述第二基板上,所述图像传感器包括感光区,所述图像传感器上设置所述感光区的一面为图像传感器上表面,与所述图像传感器上表面相对的一面为图像传感器下表面;
第一支撑侧墙,所述第一支撑侧墙设置在所述第一基板和所述第二基板之间,所述第一支撑侧墙包括第一侧墙顶面和第一侧墙底面,所述第一侧墙顶面和所述第一侧墙底面相对;所述第一侧墙顶面与所述基板下表面电性连接且固定;所述第一侧墙底面与所述第一表面电性连接且固定;所述第一支撑侧墙环绕设置于所述逻辑芯片的外侧,并将所述逻辑芯片密封在由所述第一基板、所述第一支撑侧墙及所述第二基板围成的密闭腔体中;
透明板体,固定在所述图像传感器上方,所述图像传感器透过所述透明板体接收感测信号;
第二支撑侧墙,所述第二支撑侧墙分别与所述基板上表面及所述透明板体固定,以使所述第二基板、所述透明板体及所述第二支撑侧墙之间共同围成用于限定所述图像传感器的密封透光区域;
多个电性连接所述第一基板及所述逻辑芯片的第一电性连接件,并且所述第一电性连接件分布在所述密闭腔体中;
多个电性连接所述图像传感器及所述第二基板的第二电性连接件,所述第二电性连接件分布于在所述密封透光区域中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的