[发明专利]等离子体处理装置

说明书

本发明涉及等离子体处理装置。提供能够缩短在更换消耗构件时直到工艺稳定化为止的时间的等离子体处理装置。等离子体处理装置具备：载置台，其用于载置基板；腔室，其收纳所述载置台；气体供给部，其向所述腔室内供给处理气体；等离子体生成部，其在所述腔室内生成等离子体；消耗构件，其配置在生成所述等离子体的空间，被所述等离子体消耗；以及控制部，所述消耗构件具有：基部构件，其由包含氧元素的材料形成；以及盖构件，其由不包含氧元素的材料形成，所述基部构件的暴露于生成所述等离子体的空间的表面的至少一部分被所述盖构件覆盖。

技术领域

本公开涉及等离子体处理装置。

背景技术

公知有向腔室内供给处理气体并自处理气体生成等离子体而对基板实施期望的处理的等离子体处理装置。在进行等离子体处理时，由于腔室内的构件的消耗、反应副产物的堆积，因此，稳定化之前需要时间。

在专利文献1公开有以下等离子体处理装置：真空处理容器具备侧壁构件、盖构件以及电介质制板，在侧壁构件的内表面和电介质制板的靠侧壁构件侧的面的外周部形成包含钇的覆膜。

专利文献1：日本特开2007-243020号公报

发明内容

发明要解决的问题

在一个方面中，本公开提供能够缩短在更换消耗构件时直到工艺稳定化为止的时间的等离子体处理装置。

用于解决问题的方案

为了解决上述问题，根据一技术方案，提供等离子体处理装置，其具备：载置台，其用于载置基板；腔室，其收纳所述载置台；气体供给部，其向所述腔室内供给处理气体；等离子体生成部，其在所述腔室内生成等离子体；消耗构件，其配置在生成所述等离子体的空间，被所述等离子体消耗；以及控制部，所述消耗构件具有：基部构件，其由包含氧元素的材料形成；以及盖构件，其由不包含氧元素的材料形成，所述基部构件的暴露于生成所述等离子体的空间的表面的至少一部分被所述盖构件覆盖。

发明的效果

根据一个方面，能够提供能够缩短在更换消耗构件时直到工艺稳定化为止的时间的等离子体处理装置。

附图说明

图1是表示本实施方式的等离子体处理装置的一例的截面示意图。

图2是本实施方式的等离子体处理装置的局部放大图。

图3是参考例的等离子体处理装置的局部放大图。

图4是盖环的俯视图的一例。

图5是其他实施方式的等离子体处理装置的局部放大图。

具体实施方式

以下，参照附图对用于实施本公开的方式进行说明。在各附图中，对相同结构部分标注相同附图标记，有时省略重复的说明。

使用图1对本实施方式的等离子体处理装置1进行说明。图1是表示本实施方式的等离子体处理装置1的一例的截面示意图。在以下的说明中，等离子体处理装置1例如作为对形成于基板W的绝缘膜(SiO₂膜、SiN膜)进行蚀刻的等离子体蚀刻装置而进行说明。

等离子体处理装置1具备腔室10。腔室10在其中提供内部空间10s。腔室10包括腔室主体12。腔室主体12呈大致圆筒形状。腔室主体12例如由铝形成。在腔室主体12的内壁面上设有具有耐腐蚀性的膜。该膜也可以是氧化铝、氧化钇等陶瓷。

在腔室主体12的侧壁形成有通路12p。基板W经由通路12p在内部空间10s和腔室10的外部之间输送。通路12p由沿着腔室主体12的侧壁设置的闸阀12g开闭。