[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其中，

该等离子体处理装置具备：

载置台，其用于载置基板；

腔室，其收纳所述载置台；

气体供给部，其向所述腔室内供给处理气体；

等离子体生成部，其在所述腔室内生成等离子体；

消耗构件，其配置在生成所述等离子体的空间，被所述等离子体消耗；以及

控制部，

所述消耗构件具有：

基部构件，其由包含氧元素的材料形成；以及

盖构件，其由不包含氧元素的材料形成，

所述基部构件的暴露于生成所述等离子体的空间的表面的至少一部分被所述盖构件覆盖。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

所述盖构件的材料与所述基部构件的材料相比耐等离子体性低。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，

所述盖构件的材料包含与在对所述基板实施等离子体处理时的反应副产物的元素相同的元素。

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其中，

所述盖构件的材料由包含碳元素和氟元素的材料形成。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述消耗构件具有：

第1区域，其是在对所述基板实施等离子体处理时的反应副产物的蚀刻速率比所述反应副产物的沉积速率高的区域；以及

第2区域，其是所述反应副产物的蚀刻速率比所述反应副产物的沉积速率低的区域，

在所述第1区域，所述基部构件的至少一部分暴露。

6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其中，

在所述第2区域，所述基部构件被所述盖构件覆盖。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

由所述等离子体进行的处理对形成在所述基板的含硅膜进行蚀刻。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述消耗构件的所述基部构件由SiO₂形成，且所述消耗构件是设于所述基板的周围的圆环构件。

9.根据权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述消耗构件的所述基部构件由SiO₂形成，且所述消耗构件是设于所述载置台的上方的圆环构件。

10.根据权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述消耗构件的所述基部构件被氧化膜覆盖，且所述消耗构件是配置于所述载置台的外周面和所述腔室的内周面的屏蔽件。