[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一栅极堆叠，布置在衬底上并且包括交替布置的多个第一栅电极和多个第一绝缘层；

第二栅极堆叠，布置在所述第一栅极堆叠上并且包括交替布置的多个第二栅电极和多个第二绝缘层；以及

多个沟道结构，布置在多个沟道孔中，所述多个沟道孔穿透所述第一栅极堆叠和所述第二栅极堆叠并且在与所述衬底的顶表面平行的第一方向和第二方向上彼此间隔开，其中：

所述多个沟道孔中的每个包括穿透所述第一栅极堆叠的第一沟道孔部分和穿透所述第二栅极堆叠的第二沟道孔部分，以及

所述第一沟道孔部分的第一沟道孔上端在所述第二方向上的第二宽度与其在所述第一方向上的第一宽度的比率小于所述第二沟道孔部分的第二沟道孔上端在所述第二方向上的第四宽度与其在所述第一方向上的第三宽度的比率。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二沟道孔部分的第二沟道孔下端在所述第二方向上的第六宽度与其在所述第一方向上的第五宽度的比率小于所述第二沟道孔部分的所述第二沟道孔上端在所述第二方向上的所述第四宽度与其在所述第一方向上的所述第三宽度的所述比率。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中：

所述第二沟道孔下端在所述第一方向上的所述第五宽度小于所述第一沟道孔上端在所述第一方向上的所述第一宽度，以及

所述第二沟道孔下端在所述第二方向上的所述第六宽度小于所述第一沟道孔上端在所述第二方向上的所述第二宽度。

4.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括穿透所述第一栅极堆叠和所述第二栅极堆叠的公共源极线，所述公共源极线在字线切割区中并且在所述第一方向上延伸。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第二沟道孔上端在与所述多个第二栅电极之中的最上面的第二栅电极相同的垂直高度处具有拥有椭圆形形状的水平截面，以及

所述椭圆形形状的长轴的长度对应于所述第四宽度，并且所述椭圆形形状的短轴的长度对应于所述第三宽度。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一沟道孔上端在与所述多个第一栅电极之中的最上面的第一栅电极相同的垂直高度处具有拥有椭圆形形状的水平截面，以及

所述椭圆形形状的长轴的长度对应于所述第一宽度，并且所述椭圆形形状的短轴的长度对应于所述第二宽度。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一沟道孔上端在与所述多个第一栅电极之中的最上面的第一栅电极相同的垂直高度处具有拥有椭圆形形状的水平截面，以及

所述椭圆形形状的长轴的长度对应于所述第二宽度，并且所述椭圆形形状的短轴的长度对应于所述第一宽度。

8.如权利要求2所述的半导体器件，其中：

所述第一沟道孔上端在与所述多个第一栅电极之中的最上面的第一栅电极相同的垂直高度处具有拥有圆形形状的水平截面，以及

所述第二沟道孔下端在与所述多个第二栅电极之中的最下面的第二栅电极相同的垂直高度处具有圆形形状的水平截面。

9.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括第三栅极堆叠，所述第三栅极堆叠布置在所述第二栅极堆叠上并且包括交替布置的多个第三栅电极和多个第三绝缘层，

其中所述多个沟道孔中的每个包括穿透所述第一栅极堆叠的所述第一沟道孔部分、穿透所述第二栅极堆叠的所述第二沟道孔部分和穿透所述第三栅极堆叠的第三沟道孔部分。