[发明专利]存储器的电容连接线的制作方法和存储器

说明书

本公开提供了一个存储器的电容连接线的制作方法和存储器，涉及半导体制备技术领域。其中，制作方法包括：在衬底上依次形成位线层和第一介质层；图案化位线层和第一介质层，形成沿第一方向间隔排布的位线结构和位于位线结构顶部的介质结构；在形成有位线结构和介质结构的衬底上形成绝缘层，以完全包覆位线结构和介质结构；以在相邻的位线结构之间形成间隔排布的第二隔离结构；在第一隔离结构和第二隔离结构之间形成导电结构，形成存储节点接触结构。通过本公开的技术方案，不需要制备昂贵的SOD牺牲层，降低了制备成本，而且减少了电容连接线的短路的情况发生，提升了存储器的可靠性和成品率。

技术领域

本公开涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一个存储器的电容连接线的制作方法和存储器。

背景技术

动态随机存取存储器是具有电容器结构的半导体器件，其中，电容器在形成位线层之后形成，且电容器通过存储节点接触插塞连接到有源区。近年来，DRAM芯片上的存储器单元的数量和密度急剧增加，器件的尺寸逐步减小，为了实现电容器与有源区的有效连接，存储节点接触插塞需要有较大的尺寸，在现有工艺中，在蚀刻较大关键尺寸线宽的存储节点接触孔时，容易出现刻蚀不完全而导致短路的问题。

发明内容

本公开的目的在于提供一个存储器的电容连接线的制作方法和存储器，至少在一定程度上克服由于相关技术中存储器的制备成本高的问题。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。

根据本公开的一个方面，提供一个存储器的电容连接线的制作方法，包括：在衬底上依次形成位线层和第一介质层；图案化位线层和第一介质层，形成沿第一方向间隔排布的位线结构和位于位线结构顶部的介质结构，其中，介质结构顶部横截面的宽度大于位线结构横截面的宽度；在形成有位线结构和介质结构的衬底上形成绝缘层，以完全包覆位线结构和介质结构；在第一方向上，以介质结构为掩膜，图案化绝缘层，在位线结构的侧壁形成第一隔离结构，在第二方向上，图案化绝缘层，以在相邻的位线结构之间形成间隔排布的第二隔离结构；在第一隔离结构和第二隔离结构之间形成导电结构，形成存储节点接触结构。

在本公开的一个实施例中，图案化位线层和第一介质层，形成沿第一方向间隔排布的位线结构和位于位线结构顶部的介质结构包括：图案化位线层和第一介质层，形成沿第一方向间隔排布的位线结构，并通过淀积工艺在衬底上形成绝缘层；在第一介质层的上表面形成图案化的氧化掩膜层，以形成位于位线结构顶部的介质结构；对形成氧化掩膜层的第一介质层进行平坦化处理。

在本公开的一个实施例中，图案化位线层和第一介质层，形成沿第一方向间隔排布的位线结构和位于位线结构顶部的介质结构还包括：在平坦化处理后的绝缘层的上表面，通过淀积工艺依次生成碳掩膜层和第二介质层，第二介质层包括氮化硅层和/或氮氧化硅层。

在本公开的一个实施例中，在第一方向上，以介质结构为掩膜，图案化绝缘层，在位线结构的侧壁形成第一隔离结构，在第二方向上，图案化绝缘层，以在相邻的位线结构之间形成间隔排布的第二隔离结构包括：在第二介质层上形成光刻涂层，光刻涂层包括光刻抗反射层和光刻胶层；对光刻涂层进行光刻处理，以得到图案化的光刻材料牺牲层；通过淀积工艺在光刻材料牺牲层和第二介质层上形成氧化层；通过干法刻蚀工艺对氧化层进行刻蚀，以得到光刻抗反射层和光刻抗反射层的侧墙；通过氧化气体去除光刻抗反射层，以得到位线结构上的氧化侧墙。

在本公开的一个实施例中，在第一隔离结构和第二隔离结构之间形成导电结构，形成存储节点接触结构包括：以氧化侧墙为掩膜对第二介质层和碳掩膜层进行刻蚀并去除氧化侧墙，以得到图案化的碳掩膜层；以碳掩膜层209和介质结构对第一介质层进行干法刻蚀，至暴露衬底为止，以形成第一方向上的第一隔离结构和第二方向上的第二隔离结构。