[发明专利]存储器的电容连接线的制作方法和存储器

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，其特征在于，包括：

在衬底上依次形成位线层和第一介质层；

图案化所述位线层和所述第一介质层，形成沿第一方向间隔排布的位线结构和位于所述位线结构顶部的介质结构，其中，所述介质结构顶部横截面的宽度大于所述位线结构横截面的宽度；

在形成有所述位线结构和所述介质结构的衬底上形成绝缘层，以完全包覆所述位线结构和所述介质结构；

在所述第一方向上，以所述介质结构为掩膜，图案化所述绝缘层，在所述位线结构的侧壁形成第一隔离结构，在第二方向上，图案化所述绝缘层，以在相邻的所述位线结构之间形成间隔排布的第二隔离结构；

在所述第一隔离结构和所述第二隔离结构之间形成导电结构，形成存储节点接触结构。

2.根据权利要求1所述的存储器的电容连接线的制作方法，其特征在于，图案化所述位线层和所述第一介质层，形成沿第一方向间隔排布的位线结构和位于所述位线结构顶部的介质结构包括：

图案化所述位线层和所述第一介质层，形成沿所述第一方向间隔排布的位线结构，并通过淀积工艺在所述衬底上形成绝缘层；

在所述第一介质层的上表面形成图案化的氧化掩膜层，以形成位于所述位线结构顶部的介质结构；

对形成所述氧化掩膜层的第一介质层进行平坦化处理。

3.根据权利要求2所述的存储器的电容连接线的制作方法，其特征在于，图案化所述位线层和所述第一介质层，形成沿第一方向间隔排布的位线结构和位于所述位线结构顶部的介质结构还包括：

在平坦化处理后的所述绝缘层的上表面，通过淀积工艺依次生成碳掩膜层和第二介质层，所述第二介质层包括氮化硅层和/或氮氧化硅层。

4.根据权利要求2所述的存储器的电容连接线的制作方法，其特征在于，在所述第一方向上，以所述介质结构为掩膜，图案化所述绝缘层，在所述位线结构的侧壁形成第一隔离结构，在第二方向上，图案化所述绝缘层，以在相邻的所述位线结构之间形成间隔排布的第二隔离结构包括：

在所述第二介质层上形成光刻涂层，所述光刻涂层包括光刻抗反射层和光刻胶层；

对所述光刻涂层进行光刻处理，以得到图案化的光刻材料牺牲层；

通过淀积工艺在所述光刻材料牺牲层和所述第二介质层上形成氧化层；

通过干法刻蚀工艺对所述氧化层进行刻蚀，以得到所述光刻抗反射层和所述光刻抗反射层的侧墙；

通过氧化气体去除所述光刻抗反射层，以得到所述位线结构上的氧化侧墙。

5.根据权利要求4所述的存储器的电容连接线的制作方法，其特征在于，在所述第一隔离结构和所述第二隔离结构之间形成导电结构，形成存储节点接触结构包括：

以所述氧化侧墙为掩膜对所述第二介质层和所述碳掩膜层进行刻蚀并去除所述氧化侧墙，以得到图案化的碳掩膜层；

以所述碳掩膜层和所述介质结构对第一介质层进行干法刻蚀，至暴露所述衬底为止，以形成所述第一方向上的第一隔离结构和所述第二方向上的第二隔离结构。

6.根据权利要求2或3所述的存储器的电容连接线的制作方法，其特征在于，在所述第一隔离结构和所述第二隔离结构之间形成导电结构，形成存储节点接触结构还包括：

通过干法刻蚀工艺去除所述碳掩膜层；

通过干法刻蚀工艺去除所述氧化掩膜层，并在所述第一隔离结构和所述第二隔离结构之间形成导电结构，以形成所述存储节点接触结构。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的存储器的电容连接线的制作方法，其特征在于，

通过干法刻蚀对所述氧化掩膜层和所述第一介质层的刻蚀比的范围为1:7～1:15。

8.根据权利要求7所述的存储器的电容连接线的制作方法，其特征在于，

通过干法刻蚀工艺去除所述氧化掩膜层时，对所述氧化掩膜层和所述第一介质层的刻蚀比大于或等于1:1。