[发明专利]等离子体处理装置

说明书

提供一种用于对反应产物附着在设置于等离子体处理装置上的部件之间的间隙的情况进行抑制的等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括：第一部件，设置在处理容器内；以及第二部件，设置在所述第一部件的外侧，其中，在所述第一部件和所述第二部件中的至少任意一者上，形成有用于使气体向所述第一部件与所述第二部件之间的间隙流动的流路。

技术领域

本公开涉及一种等离子体处理装置。

背景技术

例如，专利文献1提出了在等离子体处理装置中通过离子溅射将进入临近等离子体处理空间的间隙的反应产物去除。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：(日本)特开2008-251633号公报

发明内容

本发明要解决的问题

本公开提供一种技术，其用于对反应产物附着在设置于等离子体处理装置上的部件之间的间隙的情况进行抑制。

用于解决问题的手段

根据本公开的一个实施方式，提供一种等离子体处理装置，包括：第一部件，设置在处理容器内；以及第二部件，设置在所述第一部件的外侧，其中，在所述第一部件和所述第二部件中的至少任意一者上，形成有用于使气体向所述第一部件与所述第二部件之间的间隙流动的流路。

发明的效果

根据一个方面，能够对反应产物附着在设置于等离子体处理装置上的部件之间的间隙的情况进行抑制。

附图说明

图1是示出根据一个实施方式的等离子体处理装置的一个示例的剖面示意图。

图2是示出根据一个实施方式的上部电极的周边构造的一个示例的图。

图3是示出当从上表面对根据一个实施方式的内侧电极板进行观察时的气体的供给路径的一个示例的图。

图4是示出根据一个实施方式的等离子体处理方法的一个示例的流程图。

具体实施方式

以下，参照附图对本公开的实施方式进行说明。在各附图中，针对相同的构成部分赋予相同的符号，并且有时会省略重复的说明。

[等离子体处理装置]

参照图1对根据一个实施方式的等离子体处理装置1进行说明。图1是示出根据一个实施方式的等离子体处理装置1的一个示例的剖面示意图。根据一个实施方式的等离子体处理装置1是电容耦合型的平行平板处理装置，并且具有处理容器10。处理容器10例如是由表面被进行阳极氧化处理的铝制成的圆筒状的容器，并且接地。

在处理容器10的底部，经由利用陶瓷等制成的绝缘板12布置有圆柱状的支撑台14，在该支撑台14上例如设置有载置台16。载置台16具有静电卡盘20和基台18，并且在静电卡盘20的上表面上放置基板W。在基板W周围，布置有例如由硅制成的环状的边缘环24。边缘环24也称为聚焦环。在基台18及支撑台14周围，设置有例如由石英制成的环状的绝缘体环26。在静电卡盘20的内部，在基板W的下方以被绝缘层20b夹着的方式埋设有由导电膜制成的第一电极20a。第一电极20a与电源22连接，并且通过从电源22向第一电极20a施加的直流电压来产生静电力，从而将基板W吸附在静电卡盘20的载置面上。需要说明的是，静电卡盘20可以具有加热器，从而对温度进行控制。