[发明专利]一种阵列基板、显示面板以及阵列基板的制作方法

说明书

本发明提供一种阵列基板、显示面板以及阵列基板的制作方法。阵列基板的制作方法包括：对衬底基板进行预加热，其中，衬底基板中形成有栅极和栅极绝缘层，衬底基板的预加热时间为10s~50s；利用第一成膜设备在衬底基板上沉积金属氧化物半导体层；利用第一成膜设备在金属氧化物半导体层上沉积保护层，并进行一次光刻工艺，以在衬底基板上形成金属氧化物半导体图形和保护图形；其中，在沉积保护层的步骤中，第一成膜设备中的成膜氧含量为2%~14%，成膜功率为20kW~40kW，成膜压力为0.1MPa~0.7MPa。本发明能够增加薄膜晶体管器件的耐压能力，避免阵列基板在检测过程中发生烧伤等情况，提高阵列基板的良率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板以及阵列基板的制作方法。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器（Liquid Crystal Display，简称LCD）等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄、无辐射等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、笔记本电脑等各种消费性电子产品中，成为显示装置中的主流。液晶显示面板一般由相对设置的阵列基板、彩膜基板以及夹设在阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子层组成。

目前，阵列基板的制备工艺中一般包括六次光刻工艺，该方法包括：第一步：在玻璃基板上沉积金属层，进行第一次光刻，形成栅极；第二步，依次沉积栅极绝缘层和铟镓锌氧化物IGZO半导体层，进行第二次光刻，以形成半导体图形；第三步，沉积保护层，并进行第三次光刻，以形成保护图形；第四步，沉积源漏极金属层，并进行第四次光刻，以形成源极和漏极；第五步，沉积钝化层和平坦化层，并进行第五次光刻工艺，以形成导电过孔；第六步，沉积透明导电薄膜，并进行第六次光刻，以形成像素电极以及导电过孔和像素电极的连通图形。在上述各步骤中或步骤后还包括利用电检测设备对基板进行检测的步骤，具体的，电检测设备对基板施加预设电压或电流，检测基板的各项参数是否符合要求。

然而，现有的阵列基板的制备工艺条件下，作为刻蚀阻挡层使用的保护图形的膜层膜质较差，使薄膜晶体管器件耐压能力偏小和阻抗偏低，在上述的检测步骤中，薄膜晶体管器件容易受电检测设备影响而发生烧伤等情况导致阵列基板品质不良。

发明内容

本发明提供一种阵列基板、显示面板以及阵列基板的制作方法，能够增加薄膜晶体管器件的耐压能力，避免阵列基板在检测过程中发生烧伤等情况，提高阵列基板的良率。

本发明第一方面提供一种阵列基板的制作方法，包括：

对衬底基板进行预加热，其中，衬底基板中形成有栅极和栅极绝缘层，衬底基板的预加热时间为10s~50s；利用第一成膜设备在衬底基板上沉积金属氧化物半导体层；利用第一成膜设备在金属氧化物半导体层上沉积保护层，并进行一次光刻工艺，以在衬底基板上形成金属氧化物半导体图形和保护图形；其中，第一成膜设备中的成膜氧含量为2%~14%，成膜功率为20kW~40kW，成膜压力为0.1MPa~0.7MPa。

在一种可能的实现方式中，衬底基板的预加热时间为20s~40s，在金属氧化物半导体层上沉积保护层的步骤中，第一成膜设备中的成膜氧含量为5%~13%，成膜功率为25kW~35kW，成膜压力为0.3MPa~0.5MPa。

在一种可能的实现方式中，在衬底基板上形成金属氧化物半导体图形和保护图形之后还包括：

在形成有金属氧化物半导体图形和保护图形的衬底基板上沉积源漏金属层，并进行第三次光刻工艺，以形成源极和漏极；利用第二成膜设备在形成有源极和漏极、金属氧化物半导体图形以及保护图形的衬底基板上沉积至少一层氧化硅膜层；其中，靠近衬底基板的氧化硅膜层为高致密氧化硅膜层；

其中，在沉积高致密氧化硅膜层的步骤中，第二成膜设备的成膜功率为8kW~16kW，第二成膜设备中通入的SiH₄与N₂O气体的流量比为（30~50）：1，第二成膜设备中成膜腔室的温度为220℃~280℃。