[发明专利]一种阵列基板、显示面板以及阵列基板的制作方法有效

专利信息
申请号: 202011214667.3 申请日: 2020-11-04
公开(公告)号: CN112038289B 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 储周硕;王帅毅;刘永;李广圣;叶宁;殷桂华 申请(专利权)人: 成都中电熊猫显示科技有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 张娜;臧建明
地址: 610200 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 显示 面板 以及 制作方法
【权利要求书】:

1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:

对衬底基板进行预加热,其中,所述衬底基板中形成有栅极和栅极绝缘层,所述衬底基板的预加热时间为10s~50s;

利用第一成膜设备在衬底基板上沉积金属氧化物半导体层;

利用所述第一成膜设备在所述金属氧化物半导体层上沉积保护层,并进行一次光刻工艺,以在所述衬底基板上形成金属氧化物半导体图形和保护图形;其中,在所述金属氧化物半导体层上沉积保护层的步骤中,所述第一成膜设备中的成膜氧含量为2%~14%,成膜功率为20kW~40kW,成膜压力为0.1MPa~0.7MPa。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,

所述衬底基板的预加热时间为20s~40s,

所述在所述金属氧化物半导体层上沉积保护层的步骤中,所述第一成膜设备中的成膜氧含量为5%~13%,成膜功率为25kW~35kW,成膜压力为0.3MPa~0.5MPa。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,

在所述衬底基板上形成金属氧化物半导体图形和保护图形之后还包括以下步骤:

在形成有所述金属氧化物半导体图形和所述保护图形的衬底基板上沉积源漏金属层,并进行第三次光刻工艺,以形成源极和漏极;

利用第二成膜设备在形成有所述源极和漏极、金属氧化物半导体图形以及保护图形的衬底基板上沉积至少一层氧化硅膜层;其中,靠近所述衬底基板的氧化硅膜层为高致密氧化硅膜层;

其中,在沉积所述高致密氧化硅膜层的步骤中,所述第二成膜设备的成膜功率为8kW~16kW,所述第二成膜设备中通入的SiH4与N2O气体的流量比为(30~50):1,所述第二成膜设备中成膜腔室的温度为220℃~280℃。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,

在沉积所述高致密氧化硅膜层的步骤中,所述第二成膜设备的成膜功率为10kW~14kW,所述第二成膜设备中通入的SiH4与N2O气体的流量比为(35~45):1,所述第二成膜设备中成膜腔室的温度为220℃~260℃。

5.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,

在形成有所述源极和漏极、金属氧化物半导体图形以及保护图形的衬底基板上沉积至少一层氧化硅膜层,具体包括以下步骤,

在形成有所述源极和漏极、金属氧化物半导体图形以及保护图形的衬底基板上依次沉积一层所述高致密氧化硅膜层和一层低致密氧化硅膜层。

6.根据权利要求3-5任一项所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,

所述沉积至少一层氧化硅膜层之后还包括:

利用第二成膜设备在至少一层所述氧化硅膜层上沉积至少一层氮化硅膜层;

其中,至少一层所述氮化硅膜层包括高致密氮化硅膜层;

在沉积所述高致密氮化硅膜层的步骤中,所述第二成膜设备的成膜功率为8kW~16kW,所述第二成膜设备中NH3和SiH4的气体流量比为(30~40):1,所述第二成膜设备中成膜腔室的温度为220℃~280℃。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,

在沉积所述高致密氮化硅膜层的步骤中,所述第二成膜设备的成膜功率为10kW~14kW,所述第二成膜设备中NH3和SiH4的气体流量比为(30~36):1,所述第二成膜设备中成膜腔室的温度为220℃~260℃。

8.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,

所述利用第二成膜设备在至少一层所述氧化硅膜层上沉积至少一层氮化硅膜层,具体包括,

在至少一层所述氧化硅膜层上依次沉积一层低致密氮化硅膜层和一层高致密氮化硅膜层。

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