[发明专利]量子级联激光器在审

专利信息
申请号: 202011209595.3 申请日: 2020-11-03
公开(公告)号: CN112787219A 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 吉永弘幸;桥本顺一;古川将人 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: H01S5/34 分类号: H01S5/34;H01S5/20;H01S5/02253
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 季莹;方应星
地址: 日本大阪*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 量子 级联 激光器
【权利要求书】:

1.一种量子级联激光器,其中,具备:

激光器结构体,具有在第1方向上射出激光的出射面;以及

透镜,具有接受来自所述出射面的所述激光的入射面以及射出会聚后的所述激光的凸状面,

所述激光器结构体具备半导体基板以及台面型波导,所述台面型波导设置于所述半导体基板的主面的第1区域上,并在所述第1方向上延伸,

所述透镜包括半导体,并设置于所述半导体基板的所述主面的第2区域上,

所述第1区域和所述第2区域在所述第1方向上排列。

2.根据权利要求1所述的量子级联激光器,其中,

所述透镜是平凸透镜,从与所述半导体基板的所述主面交叉的第2方向观察时,所述凸状面呈凸状地弯曲。

3.根据权利要求1或2所述的量子级联激光器,其中,

所述量子级联激光器还具备设置于所述出射面上的反射膜,

所述反射膜具有使所述激光透过的狭缝。

4.根据权利要求3所述的量子级联激光器,其中,

所述狭缝的宽度是1μm以上且5μm以下。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的量子级联激光器,其中,

所述激光器结构体还具备将所述台面型波导的侧面埋入的电流块区域,所述电流块区域包括无掺杂或者半绝缘性的半导体,

所述透镜具备在所述第1方向上延伸的半导体台面以及将所述半导体台面的侧面埋入的半导体埋入区域,所述半导体埋入区域包括无掺杂或者半绝缘性的半导体。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的量子级联激光器,其中,

所述台面型波导的宽度是2μm以上且5μm以下。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的量子级联激光器,其中,

在所述入射面与所述出射面之间设置有空间。

8.根据权利要求7所述的量子级联激光器,其中,

所述入射面与所述出射面之间的距离是5μm以上。

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