[发明专利]发光器件功能层的处理方法及发光器件

说明书

本发明涉及发光器件功能层的处理方法及发光器件，其中，功能层的处理方法包括以下步骤：提供功能层；将功能层置于温度为5℃‑50℃，相对湿度为10％‑70％的空气氛围下进行暴露处理；其中，功能层为发光器件中的阴极层、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层的至少之一。上述方法能够提高发光器件的效率和寿命。

技术领域

本发明涉及电子器件制备技术领域，特别涉及发光器件功能层的处理方法及发光器件。

背景技术

照明和显示是人类社会的重大需求，其能耗是当今社会能源消耗的一大部分，目前的发光二极管(LED)因亮度高，能耗低，产热少，寿命长等优点，无疑会成为新一代的照明光源，特别是其中的量子点发光二极管(QLED)。

量子点(Quantum Dots)是一种半径小于或接近激子玻尔半径的纳米晶体，其粒径通常介于1～20nm之间。应用在显示领域的量子点一般都是核壳结构，内部的空穴与电子在各个方向上的运动受到限制，且表面一般由配体钝化。由于量子点发光波长可通过控制粒径尺寸进行调节，发光光谱线宽窄，色纯度高，电子迁移性高，光稳定性好，可用于柔性显示等优点，在发光显示领域得到广泛应用。

从1994年，第一个量子点发光二极管(QLED)制备出来，经过20多年的发展，无论是从材料的合成，器件的制备，还是发光的机理都取得了很大的进步。其中，在器件结构的选择和制备工艺方面也取得了很大的进步，但器件效率和寿命仍然有待提高，特别是倒置结构量子点发光二极管，其起步较晚，器件性能较差，在器件发光效率和寿命上还存在较大的提升空间。

发明内容

基于此，有必要提供一种能够提高发光器件的效率和寿命的发光器件功能层的处理方法及发光器件。

一种发光器件功能层的处理方法，包括以下步骤：

提供功能层；

将所述功能层置于温度为5℃-50℃，相对湿度为10％-70％的空气氛围下进行暴露处理；

所述功能层为发光器件中的阴极层、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层的至少之一。

在其中一实施例中，所述暴露处理的条件为：温度20℃-40℃，相对湿度30％-60％，处理时间1min-60min。

在其中一实施例中，所述功能层包含有：金属或金属氧化物。

在其中一实施例中，所述功能层为空穴注入层，形成所述空穴注入层的材料包括：HAT-CN、三氧化钼、三氧化钨、五氧化二钒和五氧化二钽中的一种或多种。

在其中一实施例中，所述功能层为阳极层，形成所述阳极层的材料包括：Ag、Al和Au中的一种或多种。

在其中一实施例中，所述功能层为电子传输层，形成所述电子传输层的材料包括：ZnO、SnO₂、TiO₂、Mg掺杂ZnO和Al掺杂的ZnO中的一种或多种。

在其中一实施例中，所述功能层为空穴传输层，形成所述空穴传输层的材料包括：CDBP、CBP、NPB及TCTA中的一种或多种。

一种上述制备方法制备而成的功能层。

一种发光器件，包括至少一层上述功能层。

一种发光器件，上述发光器件包括：

衬底；

阴极层，形成于所述衬底上；

量子点发光层，形成于所述阴极层上；

空穴注入层，形成于所述量子点发光层上；

阳极层，形成于所述空穴注入层上；