[发明专利]发光器件功能层的处理方法及发光器件在审
| 申请号： | 202011207341.8 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN114038947A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 龚浩天;庄锦勇 | 申请（专利权）人： | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/36 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 秦冉冉 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 功能 处理 方法 | ||
1.一种发光器件功能层的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供功能层；
将所述功能层置于温度为5℃-50℃，相对湿度为10％-70％的空气氛围下进行暴露处理；
其中，所述功能层为发光器件中的阴极层、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层的至少之一。
2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述暴露处理的条件为：温度20℃-40℃，相对湿度30％-60％，处理时间1min-60min。
3.根据权利要求1或2所述的处理方法，所述功能层包含有：金属或金属氧化物。
4.根据权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于，所述功能层为空穴注入层，形成所述空穴注入层的材料包括：HAT-CN、三氧化钼、三氧化钨、五氧化二钒和五氧化二钽中的一种或多种；和/或
所述功能层为阳极层，形成所述阳极层的材料包括：Ag、Al和Au中的一种或多种。
5.根据权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于，所述功能层为电子传输层，形成所述电子传输层的材料包括：ZnO、SnO2、TiO2、Mg掺杂ZnO和Al掺杂的ZnO中的一种或多种。
6.根据权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于，所述功能层为空穴传输层，形成所述空穴传输层的材料包括：CDBP、CBP、NPB及TCTA中的一种或多种。
7.一种如权利要求1-6任一项所述的处理方法制备而成的功能层。
8.一种发光器件，其特征在于，包括至少一层权利要求7所述的功能层。
9.一种发光器件，其特征在于，包括：
衬底；
阴极层，形成于所述衬底上；
量子点发光层，形成于所述阴极层上；
空穴注入层，形成于所述量子点发光层上；
阳极层，形成于所述空穴注入层上；
其中，所述空穴注入层和/或所述阳极层是经权利要求1-6任一项所述的处理方法处理过的功能层。
10.根据权利要求9所述的发光器件，其特征在于，在所述阴极层和所述量子点发光层之间还包括电子传输层，且所述电子传输层为采用权利要求1-3、5任一项所述的处理方法处理过的功能层；和/或
所述量子点发光层和所述空穴注入层之间还包括空穴传输层，且所述空穴传输层为采用权利要求1-3、6任一项所述的处理方法处理过的功能层。
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