[发明专利]一种半导体器件的结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：

提供一集成电路，所述集成电路包括N型金属氧化物半导体区域和P型金属氧化物半导体区域；

在所述N型金属氧化物半导体区域和所述P型金属氧化物半导体区域上形成一第一应力缓冲层，所述第一应力缓冲层覆盖所述N型金属氧化物半导体区域和所述P型金属氧化物半导体区域表面，所述第一应力缓冲层所用材料为氮化硅；

在所述第一应力缓冲层上形成第二应力缓冲层，所述第二应力缓冲层覆盖所述第一应力缓冲层，所述第二应力缓冲层所用材料与所述第一应力缓冲层所用材料不同；

去除部分所述第二应力缓冲层及其所覆盖的所述第一应力缓冲层，暴露所述N型金属氧化物半导体区域或所述P型金属氧化物半导体区域；

在剩余的所述第二应力缓冲层表面及暴露的所述N型金属氧化物半导体区域或所述P型金属氧化物半导体区域的表面形成呈压缩应力的应力材料层或呈拉伸应力的应力材料层。

2.根据权利要求1所述一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述呈压缩应力的应力材料层的所用材料为氮化硅。

3.根据权利要求1所述一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述呈拉伸应力的应力材料层的所用材料为氮化硅。

4.根据权利要求1所述一种半导体器件的制备方法，其特征在于，去除所述第一应力缓冲层的方法包括以下步骤：

在所述第一应力缓冲层上形成光刻胶层；

去除位于所述N型金属氧化物半导体区域或所述P型金属氧化物半导体区域的表面的所述光刻胶层，获得仅位于所述P型金属氧化物半导体区域或所述N型金属氧化物半导体区域的表面上的第一图案化光阻层；

以所述第一图案化光阻层为掩膜，去除位于所述N型金属氧化物半导体区域或所述P型金属氧化物半导体区域的表面上的部分所述第一应力缓冲层。

5.根据权利要求1所述一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一应力缓冲层的制备方法包括：

提供一衬底；

将所述衬底置于温度800℃-900℃的密闭腔室中；

在所述密闭腔室中维持反应压强为15torr-20torr的条件下，通入一氧化二氮和氢气混合气体。

6.根据权利要求5所述一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述一氧化二氮流量为25slm-35slm，氢气流量为0.1slm-0.15slm。

7.一种半导体器件的结构，其采用如权利要求1-6中任一项所述半导体器件的制备方法制得，其特征在于，所述半导体器件的结构包括：

所述集成电路，其包括所述N型金属氧化物半导体区域和所述P型金属氧化物半导体区域；

所述呈拉伸应力的应力材料层，其形成于所述N型金属氧化物半导体区域的表面；

所述呈压缩应力的应力材料层，其形成于所述P型金属氧化物半导体区域的表面。