[发明专利]一种单银低辐射玻璃及其制备方法在审
| 申请号: | 202011206558.7 | 申请日: | 2020-11-02 |
| 公开(公告)号: | CN112225469A | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
| 发明(设计)人: | 曾小绵;程浩;蒋宇剑 | 申请(专利权)人: | 湖南旗滨节能玻璃有限公司 |
| 主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/34 |
| 代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 关向兰 |
| 地址: | 412200 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 单银低 辐射 玻璃 及其 制备 方法 | ||
本发明提供一种单银低辐射玻璃及其制备方法,其中,该单银低辐射玻璃通过在低辐射玻璃的底层电介质组合层的透明电介质材料层之间设置金属层,并且将各个膜层之间设置为高、低折射率材料搭配的结构,起到减反射膜的作用,使银层厚度可以在传统厚度上大大增加,U值在原来基础上降低,使该低辐射玻璃对可见光有较高的透射率,对红外线有很高的屏蔽,具有良好的高保温性能。
技术领域
本发明涉及节能玻璃技术领域,特别涉及一种单银低辐射玻璃及其制备方法。
背景技术
传统单银低辐射玻璃的常见问题如下:(1)组合的透明电介质膜层无法起到减反射膜效果;(2)增厚Ag量受到限制,U值无法降低、保温性差;(3)膜层吸收率高,产品的透光率受到限制。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种单银低辐射玻璃,使其膜层起到减反射的作用,提高透过率,降低U值,提升低辐射玻璃的性能。
为实现上述目的,本发明提出一种单银低辐射玻璃,包括:
玻璃基底;
底层电介质组合层,所述底层电介质组合层形成于所述玻璃基底上,所述底层电介质组合层包括金属层和透明电介质材料层,所述金属层设置于透明电介质材料层之间;
第一电介质组合层,所述第一电介质组合层形成于所述底层电介质组合层上,所述第一电介质组合层为高折射率透明电介质材料层;
第一阻挡层,所述第一阻挡层形成于所述第一电介质组合层上;
银层,所述银层形成于所述第一阻挡层上;
第二阻挡层,所述第二阻挡层形成于所述银层上;
第二电介质组合层,所述第二电介质组合层由高折射率透明电介质材料层和低折射率透明电介质材料层交替形成于所述第二阻挡层上;
顶层电介质组合层,所述顶层电介质组合层形成于所述第二电介质组合层上,所述顶层电介质组合层的折射率高于所述第一电介质组合层的折射率。
可选地,所述金属层材料为镍铬合金,该镍铬合金膜层厚度小于3nm。
可选地,所述金属层相邻两侧的透明电介质材料层的厚度比为1:1。
可选地,所述第一电介质组合层和所述第二电介质组合层的厚度比例为1:3.2。
可选地,所述底层电介质组合层的透明电介质材料层包括SiNx、SiAlNx中的一种或两种。
可选地,所述顶层电介质组合层包括NbZrOx、ZrOx、TiOx中的一种或多种。
可选地,所述第二电介质组合层的低折射率透明电介质材料层包括SiCNx、SiBNx、SiNx、SiAlNx中的一种或多种,所述第二电介质组合层的高折射率透明电介质材料层包括SiZrAlNx、SiZrNx、SiZrTiNx中的一种或多种。
可选地,所述第一阻挡层和所述第二阻挡层包括NiCr、NiCrOx、NiCrNx中的一种或多种。
本发明还提出一种单银低辐射玻璃的制备方法,包括:
S1、提供玻璃基底;
S2、在所述玻璃基底上采用中频电源加旋转阴极溅射沉积形成底层电介质组合层;
S3、在所述底层电介质组合层上采用中频电源加旋转阴极溅射沉积形成第一电介质组合层;
S4、在所述第一电介质组合层上采用直流电源加脉冲溅射沉积形成第一阻挡层;
S5、在所述第一阻挡层上采用直流双极脉冲电源溅射沉积形成银层;
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