[发明专利]一种单银低辐射玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种单银低辐射玻璃，其特征在于，包括：

玻璃基底；

底层电介质组合层，所述底层电介质组合层形成于所述玻璃基底上，所述底层电介质组合层包括金属层和透明电介质材料层，所述金属层设置于透明电介质材料层之间；

第一电介质组合层，所述第一电介质组合层形成于所述底层电介质组合层上，所述第一电介质组合层为高折射率透明电介质材料层；

第一阻挡层，所述第一阻挡层形成于所述第一电介质组合层上；

银层，所述银层形成于所述第一阻挡层上；

第二阻挡层，所述第二阻挡层形成于所述银层上；

第二电介质组合层，所述第二电介质组合层由高折射率透明电介质材料层和低折射率透明电介质材料层交替形成于所述第二阻挡层上；

顶层电介质组合层，所述顶层电介质组合层形成于所述第二电介质组合层上，所述顶层电介质组合层的折射率高于所述第一电介质组合层的折射率。

2.如权利要求1所述的一种单银低辐射玻璃，其特征在于，所述金属层材料为镍铬合金，该镍铬合金膜层厚度小于3nm。

3.如权利要求2所述的一种单银低辐射玻璃，其特征在于，所述金属层相邻两侧的透明电介质材料层的厚度比为1:1。

4.如权利要求3所述的一种单银低辐射玻璃，其特征在于，所述第一电介质组合层和所述第二电介质组合层的厚度比例为1:3.2。

5.如权利要求1所述的一种单银低辐射玻璃，其特征在于，所述底层电介质组合层的透明电介质材料层包括SiNx、SiAlNx中的一种或两种。

6.如权利要求5所述的一种单银低辐射玻璃，其特征在于，所述顶层电介质组合层包括NbZrOx、ZrOx、TiOx中的一种或多种。

7.如权利要求6所述的一种单银低辐射玻璃，其特征在于，所述第二电介质组合层的低折射率透明电介质材料层包括SiCNx、SiBNx、SiNx、SiAlNx中的一种或多种，所述第二电介质组合层的高折射率透明电介质材料层包括SiZrAlNx、SiZrNx、SiZrTiNx中的一种或多种。

8.如权利要求7所述的一种单银低辐射玻璃，其特征在于，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层包括NiCr、NiCrOx、NiCrNx中的一种或多种。

9.一种单银低辐射玻璃的制备方法，其特征在于，包括：

S1、提供玻璃基底；

S2、在所述玻璃基底上采用中频电源加旋转阴极溅射沉积形成底层电介质组合层；

S3、在所述底层电介质组合层上采用中频电源加旋转阴极溅射沉积形成第一电介质组合层；

S4、在所述第一电介质组合层上采用直流电源加脉冲溅射沉积形成第一阻挡层；

S5、在所述第一阻挡层上采用直流双极脉冲电源溅射沉积形成银层；

S6、在所述银层上采用直流电源加脉冲溅射沉积形成第二阻挡层；

S7、在所述第二阻挡层上采用中频电源加旋转阴极溅射沉积形成第二电介质组合层；

S8、在所述第二电介质组合层上采用中频电源加旋转阴极溅射沉积形成顶层电介质组合层。

10.如权利要求9所述的一种单银低辐射玻璃的制备方法，其特征在于，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层包括镍铬，所述底层电介质组合层包括镍铬金属层，在氩气氛围中采用直流双极脉冲电源溅射镍铬合金，功率为1.2kw-4.2kw。