[发明专利]一种桥接芯片及半导体封装结构有效
| 申请号: | 202011205798.5 | 申请日: | 2020-11-02 |
| 公开(公告)号: | CN112366194B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 何永松;陈晓强;余金金;秦征;顾东华;尹鹏跃;柴菁;邱雪松 | 申请(专利权)人: | 上海燧原智能科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/52;H01L23/552 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 201306 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 芯片 半导体 封装 结构 | ||
1.一种桥接芯片,其特征在于,包括:
上层布线层组和下层布线层组;
其中,所述上层布线层组和所述下层布线层组均包括至少两层布线层;
所述下层布线层组用于为逻辑芯片和存储芯片提供多路电源路径;所述上层布线层组用于为所述逻辑芯片和所述存储芯片提供信号互连路径;
所述下层布线层组设置为通过设置于所述桥接芯片侧面的多个基板通孔和/或通过所述桥接芯片内部的多个穿硅通孔电性连接外部电源;
所述逻辑芯片和所述存储芯片位于所述上层布线层组上;
在垂直于所述桥接芯片的方向,所述逻辑芯片和所述存储芯片的正投影与所述上层布线层组的正投影部分交叠;
在垂直于所述桥接芯片的方向,所述逻辑芯片和所述存储芯片的正投影与所述下层布线层组的正投影部分交叠。
2.根据权利要求1所述的桥接芯片,其特征在于,所述上层布线层组和所述下层布线层组均包括两层所述布线层。
3.根据权利要求1所述的桥接芯片,其特征在于,所述下层布线层组的相邻所述布线层的电源线方向相互垂直。
4.根据权利要求1所述的桥接芯片,其特征在于,所述上层布线层组的所述布线层包括信号线和电磁屏蔽线,所述信号线和所述电磁屏蔽线交替平行设置。
5.根据权利要求4所述的桥接芯片,其特征在于,所述上层布线层组中相邻所述布线层中的所述信号线交错设置或对齐设置。
6.根据权利要求1-5任一项所述的桥接芯片,其特征在于,所述上层布线层组中的相邻所述布线层之间设置有电磁屏蔽层。
7.一种半导体封装结构,包括逻辑芯片、存储芯片和基板,其特征在于,还包括权利要求1-6任一项所述的桥接芯片和一布线板;
所述逻辑芯片和所述存储芯片相间隔地设置在所述布线板上;
所述桥接芯片设置在所述布线板下;
所述基板设置在所述桥接芯片下;
所述逻辑芯片和所述存储芯片均通过所述布线板与所述桥接芯片电性连接;其中,所述逻辑芯片的第一信号端和所述存储芯片的第二信号端通过所述布线板分别电性连接所述桥接芯片的所述上层布线层组以互通信号。
8.根据权利要求7所述的半导体封装结构,其特征在于:
所述逻辑芯片的第一供电端和所述存储芯片的第二供电端通过所述布线板分别电性连接所述桥接芯片的所述下层布线层组以获得供电;
所述桥接芯片的所述下层布线层组通过设置于所述桥接芯片侧面的多个基板通孔和/或通过所述桥接芯片内部的多个穿硅通孔电性连接所述基板的外部电源焊球。
9.根据权利要求7或8所述的半导体封装结构,其特征在于:
所述逻辑芯片的第三供电端和所述存储芯片的第四供电端通过多个基板通孔电性连接所述基板的外部电源焊球;
所述逻辑芯片的第三信号端和所述存储芯片的第四信号端通过多个基板通孔电性连接所述基板的外部芯片信号焊球。
10.根据权利要求8所述的半导体封装结构,其特征在于:
所述逻辑芯片和所述存储芯片均与所述桥接芯片部分交叠。
11.根据权利要求10所述的半导体封装结构,其特征在于:
所述逻辑芯片与所述桥接芯片交叠区域内的所述第一供电端电性连接所述桥接芯片的所述下层布线层组以获得供电;所述存储芯片与所述桥接芯片交叠区域内的所述第二供电端电性连接所述桥接芯片的所述下层布线层组以获得供电;
所述桥接芯片的下层布线层组通过所述穿硅通孔电性连接到所述桥接芯片正下方的所述基板的外部电源焊球。
12.根据权利要求11所述的半导体封装结构,其特征在于:
所述基板上围绕所述桥接芯片的至少一圈焊球中的至少部分作为所述外部电源焊球,其中,每圈所述焊球中的所述外部电源焊球交替设置为电源焊球和地焊球。
13.根据权利要求7所述的半导体封装结构,其特征在于,所述布线板包括至少一层金属布线层。
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