[发明专利]一种氧化铁/羟基氧化钴复合光电极及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202011203174.X 申请日: 2020-11-02
公开(公告)号: CN113293392B 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 熊贤强;张川群;张晓;褚雨潇;武承林;陈奕飞;周睿;马博华;程高飞;韩得满 申请(专利权)人: 台州学院;台州市生物医化产业研究院有限公司
主分类号: C25B1/04 分类号: C25B1/04;C25B1/55;C25B11/053;C25B11/091
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 马小星
地址: 318000 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化铁 羟基 氧化钴 复合 电极 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种氧化铁/羟基氧化钴复合光电极的制备方法,按以下步骤进行:

将可溶性铁盐、尿素和水混合,得到混合反应液;

将基底浸没于所述混合反应液中,加热进行第一沉淀反应,将所得基底进行洗涤,得到负载有β-FeOOH的基底;

将所述负载有β-FeOOH的基底在300~500℃条件下进行煅烧,得到负载有α-Fe2O3的基底;

将可溶性钴盐溶液滴涂在所述负载有α-Fe2O3的基底的表面,干燥后浸没于碱性溶液中进行第二沉淀反应,将所得基底进行洗涤,得到氧化铁/羟基氧化钴复合光电极;所述可溶性钴盐溶液的浓度为0.8~1.2mol/L,所述可溶性钴盐溶液的滴涂量为4~50μL/cm2

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述混合反应液中可溶性铁盐和尿素的浓度独立地为0.1~1mol/L。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述第一沉淀反应的温度为95~105℃,时间为2~6h。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述煅烧的时间为1~6h。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述碱性溶液包括氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液,所述碱性溶液的浓度为0.8~1.2mol/L。

6.根据权利要求1或5所述的制备方法,其特征在于,所述第二沉淀反应的温度为15~35℃,时间为5~20min。

7.权利要求1~6任一项所述制备方法制备得到的氧化铁/羟基氧化钴复合光电极,包括基底和负载在所述基底表面的氧化铁/羟基氧化钴复合材料,所述氧化铁/羟基氧化钴复合材料包括α-Fe2O3纳米棒和包覆在所述α-Fe2O3纳米棒表面的CoOOH层。

8.根据权利要求7所述的氧化铁/羟基氧化钴复合光电极,其特征在于,所述α-Fe2O3纳米棒的直径为20~40nm,长度为60~150nm;所述CoOOH层的厚度为1~50nm。

9.权利要求7或8所述氧化铁/羟基氧化钴复合光电极在光电催化水分解领域中的应用。

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