[发明专利]基板处理设备

说明书

一种能够最小化下部空间中的填充气体对基板处理的影响的基板处理设备包括：基板支撑单元；围绕基板支撑单元的至少一个环；基板支撑单元上的处理单元；以及排气单元，其连接到基板支撑单元和处理单元之间的反应空间，其中反应空间中的第一气体通过第一通道传输到排气单元，基板支撑单元下方的下部空间中的第二气体通过第二通道传输到排气单元，并且第一通道和第二通道被至少一个环分离。

相关申请的交叉引用

本申请基于2019年11月29日在美国专利和商标局提交的美国专利申请号62/942038并且在35U.S.C.§119下要求其优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

一个或多个实施例涉及一种基板处理设备，更具体地，涉及一种具有改进的排气结构的基板处理设备。

背景技术

在基板处理设备中，被引入到反应空间中的反应气体通过排气空间被排出到外部。然而，一些反应气体被引入加热块的底部，特别是反应器的底部，在其上安装有诸如基板安装部分的基座。特别地，当供应非均质气体时，反应副产物在室的下部空间中产生，并且这些反应副产物成为处理基板的污染物并降低装置的产率。另外，当使用高腐蚀性的清洁气体去除反应副产物时，存在的问题是室部件损坏并因此缩短了基板处理设备的寿命。

为了防止供应到反应空间的反应气体流入反应器底部的问题，从反应器的底部供应气体。该气体也被称为填充气体，因为它填充了反应器的底部，并且通常使用诸如Ar或N₂的惰性气体。填充气体使基板安装部分上的反应空间与反应器的下部空间之间的压力平衡，以防止反应气体进入反应器的下部空间。在美国专利公开号2018-0155836中公开了使用这种填充气体的基板处理设备构造。

发明内容

一个或多个实施例包括一种能够在使用填充气体实现反应空间和反应器下部空间之间的压力平衡时最小化填充气体对基板处理的影响的基板处理设备。

其他方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地从描述中将是显而易见的，或者可以通过实践本公开的所呈现的实施例而获知。

根据一个或多个实施例，一种基板处理设备包括：基板支撑单元；设置成围绕基板支撑单元的至少一个环；基板支撑单元上的处理单元；以及排气单元，其连接到基板支撑单元和处理单元之间的反应空间，其中，所述反应空间中的第一气体通过第一通道传输到排气单元，所述基板支撑单元下方的下部空间中的第二气体通过第二通道传输到排气单元，并且所述第一通道和第二通道可以被所述至少一个环分离。

根据基板处理设备的示例，至少一个环可以包括：外环，其设置成围绕基板支撑单元；以及流动控制环，其设置在基板支撑单元和外环之间。

根据基板处理设备的另一示例，第一通道和第二通道可以被外环分离。

根据基板处理设备的另一示例，流动控制环可以包括：第一部分，其设置成与基板支撑单元的至少一部分重叠；第二部分，其沿着基板支撑单元的侧面从第一部分延伸；以及第三部分，其设置成从第二部分与外环的至少一部分重叠。

根据基板处理设备的另一示例，排气管道和外环中的至少一个可以包括弯曲结构，其中流动控制环的第二部分和外环彼此分开以形成空间，并且弯曲表面可以构造成有助于将位于空间中的反应气体排出到第一通道。

根据基板处理设备的另一示例，基板处理设备还可以包括：支撑件，其构造为支撑处理单元和排气单元，第一通道可以形成在排气单元和外环之间，并且第二通道可以形成在外环和支撑件之间。

根据基板处理设备的另一示例，基板支撑单元可以构造成可竖直移动，并且流动控制环可以构造成在基板支撑单元向上移动时与基板支撑单元和外环表面接触，并且随着基板支撑单元的竖直移动而上下移动。

根据基板处理设备的另一示例，第一通道C1的排气效率和第二通道C2的排气效率可以根据基板支撑单元的竖直移动的程度而变化。