[发明专利]尾气装置和半导体工艺设备

说明书

本申请公开一种尾气装置，所公开的尾气装置包括壳体和尾气导流件，尾气导流件设置于壳体内，尾气导流件将壳体分为导流腔和排气腔，导流腔设有进气口，进气口用于通入半导体工艺腔室排出的尾气；排气腔设有排气口，用于排出尾气；尾气导流件的中部设有贯通的渐缩通道，渐缩通道沿尾气流通的方向开口尺寸逐渐缩小；尾气导流件背离进气口的一侧为导流直面，导流直面垂直于排气腔的侧壁，且导流直面在排气腔的底壁上的投影位于侧壁围设的区域内。上述方案能够解决背景技术中的半导体材料在外延生长时尾气湍流较为严重而影响半导体材料的外延生长质量的问题。

技术领域

本申请属于半导体加工技术领域，具体涉及一种尾气装置和半导体工艺设备。

背景技术

碳化硅是具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率和漂流速度快等特点的半导体材料，这些特性预示着碳化硅在克服电力电子器件与频率之间的矛盾和提高半导体器件的耐高温能力和抗辐射能力等方面存在巨大的潜力，由此，人们对碳化硅的生长开始广泛关注。

以氢气作为载体，在减压的条件下，在相关的半导体工艺设备中生长碳化硅薄膜是目前广泛采用的外延生长手段。但是，一般情况下，碳化硅外延使用的工艺气体流量较大，减压环境也会使得腔室内的气体流速较大，最终导致在半导体工艺设备中出现尾气湍流或者工艺气体不稳定等现象；并且碳化硅的外延较容易受到倒灌尾气中的颗粒的影响，从而出现生长缺陷，进而降低外延生长质量。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种尾气装置和半导体工艺设备，能够解决背景技术中所述的半导体材料在外延生长时尾气湍流较为严重而影响半导体材料的外延生长质量的问题。

为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

一种尾气装置，用于半导体工艺腔室排出尾气，所述尾气装置包括壳体和尾气导流件，所述尾气导流件设置于所述壳体内，所述尾气导流件将所述壳体分为导流腔和排气腔，所述导流腔设有进气口，所述进气口用于通入所述半导体工艺腔室排出的所述尾气；所述排气腔设有排气口，用于排出所述尾气；

所述尾气导流件的中部设有贯通的渐缩通道，所述渐缩通道沿所述尾气流通的方向开口尺寸逐渐缩小；所述尾气导流件背离所述进气口的一侧为导流直面，所述导流直面垂直于所述排气腔的侧壁，且所述导流直面在所述排气腔的底壁上的投影位于所述侧壁围设的区域内。

一种半导体工艺设备，包括半导体工艺腔室和尾气装置，所述半导体工艺腔室的排气端与所述尾气装置的进气口连通。

本申请采用上述技术方案能够达到以下有益效果：

本申请实施例公开的尾气装置通过对相关技术中的尾气装置的结构进行改进，在尾气装置的中部设置有贯通的渐缩通道，并且渐缩通道在尾气的流通方向上的开口尺寸逐渐减小，使得渐缩通道至少存在一个斜面，斜面的存在能够对尾气进行限制与引导，使得尾气在渐缩通道中逐渐流向开口尺寸较小的位置，从而有利于尾气更加集中地排放至排气腔中进行最终的排放，渐缩通道可以避免大量的尾气与导流直面的相背面发生碰撞，从而可以缓解尾气逆流引发的尾气湍流现象。

与此同时，本申请实施例公开的尾气装置还在排气腔中设置有导流直面，排气腔中设有排气口，导流直面能够对排气腔中与底壁发生碰撞的尾气进行引导与限制，导流直面能够将尾气向着排气口的方向引导，导流直面能够限制与导流直面接触的尾气不会逆向流入渐缩通道中，使得尾气可以较快地排走，有利于降低尾气装置中发生尾气倒灌现象的概率，从而可以有效防止尾气倒灌在尾气导流件中产生涂层而影响尾气导流件后续的使用功能，进而可以减少尾气中的颗粒进入工艺腔室中，进而使得半导体工艺腔室中半导体材料的外延生长质量有所提高。

附图说明

图1是本申请实施例公开的一种半导体工艺设备的正视图；

图2是本申请实施例公开的一种半导体工艺设备的俯视图；

图3是本申请实施例公开的一种半导体工艺设备的另一种结构的正视图；