[发明专利]尾气装置和半导体工艺设备有效
| 申请号: | 202011197176.2 | 申请日: | 2020-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN112410754B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
| 发明(设计)人: | 徐柯柯 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/32;C23C14/56;C23C14/06;H01L21/04 |
| 代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 尾气 装置 半导体 工艺设备 | ||
1.一种尾气装置,用于半导体工艺腔室(400)排出尾气(300),其特征在于,所述尾气装置包括壳体(100)和尾气导流件(200),所述尾气导流件(200)设置于所述壳体(100)内,所述尾气导流件(200)将所述壳体(100)分为导流腔(210)和排气腔(220),所述导流腔(210)设有进气口(211),所述进气口(211)用于通入所述半导体工艺腔室(400)排出的所述尾气(300);所述排气腔(220)设有排气口(221),用于排出所述尾气(300);
所述尾气导流件(200)的中部设有贯通的渐缩通道(230),所述渐缩通道(230)沿所述尾气(300)流通的方向开口尺寸逐渐缩小;所述尾气导流件(200)背离所述进气口(211)的一侧为导流直面(240),所述渐缩通道(230)的开口尺寸较小的端口与所述导流直面(240)共面,所述导流直面(240)垂直于所述排气腔(220)的侧壁(222),且所述导流直面(240)在所述排气腔(220)的底壁(223)上的投影位于所述侧壁(222)围设的区域内,所述排气口(221)开设于所述侧壁(222)上。
2.根据权利要求1所述的尾气装置,其特征在于,所述渐缩通道(230)为锥形空间,所述渐缩通道(230)在与其轴向垂直的截面上的形状为方形或圆形。
3.根据权利要求1所述的尾气装置,其特征在于,所述底壁(223)与所述导流直面(240)相平行。
4.根据权利要求1所述的尾气装置,其特征在于,所述排气口(221)位于所述排气腔(220)邻近所述底壁(223)的一侧。
5.根据权利要求4所述的尾气装置,其特征在于,所述底壁(223)上设有分流结构(2231),所述分流结构(2231)正对所述渐缩通道(230)设置,用于对从所述渐缩通道(230)流出的所述尾气(300)进行分流。
6.根据权利要求5所述的尾气装置,其特征在于,所述分流结构(2231)为形成于所述底壁(223)上的导流斜面,所述导流斜面从所述底壁(223)正对所述渐缩通道(230)的出气口区域向外延倾斜伸至所述侧壁(222),所述排气口(221)位于所述侧壁(222)朝向所述导流斜面的一侧,且所述排气口(221)位于所述导流斜面在所述侧壁(222)的投影区域内。
7.根据权利要求5所述的尾气装置,其特征在于,所述分流结构(2231)为所述底壁(223)朝向所述渐缩通道(230)一侧凹陷所形成的锥面,所述锥面的顶点正对所述渐缩通道(230)的出气口;所述排气口(221)为多个,多个所述排气口(221)间隔分布于所述侧壁(222)上。
8.根据权利要求7所述的尾气装置,其特征在于,所述锥面的顶点位于所述渐缩通道(230)的轴线上。
9.根据权利要求1所述的尾气装置,其特征在于,所述渐缩通道(230)在所述壳体(100)轴向的尺寸大于所述排气腔(220)在所述壳体(100)轴向的尺寸。
10.一种半导体工艺设备,其特征在于,包括半导体工艺腔室(400)和权利要求1至9中任一项所述的尾气装置,所述半导体工艺腔室(400)的排气端(460)与所述尾气装置的进气口(211)连通。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





