[发明专利]尾气装置和半导体工艺设备有效

专利信息
申请号: 202011197176.2 申请日: 2020-10-30
公开(公告)号: CN112410754B 公开(公告)日: 2022-10-21
发明(设计)人: 徐柯柯 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/32;C23C14/56;C23C14/06;H01L21/04
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 施敬勃
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 尾气 装置 半导体 工艺设备
【权利要求书】:

1.一种尾气装置,用于半导体工艺腔室(400)排出尾气(300),其特征在于,所述尾气装置包括壳体(100)和尾气导流件(200),所述尾气导流件(200)设置于所述壳体(100)内,所述尾气导流件(200)将所述壳体(100)分为导流腔(210)和排气腔(220),所述导流腔(210)设有进气口(211),所述进气口(211)用于通入所述半导体工艺腔室(400)排出的所述尾气(300);所述排气腔(220)设有排气口(221),用于排出所述尾气(300);

所述尾气导流件(200)的中部设有贯通的渐缩通道(230),所述渐缩通道(230)沿所述尾气(300)流通的方向开口尺寸逐渐缩小;所述尾气导流件(200)背离所述进气口(211)的一侧为导流直面(240),所述渐缩通道(230)的开口尺寸较小的端口与所述导流直面(240)共面,所述导流直面(240)垂直于所述排气腔(220)的侧壁(222),且所述导流直面(240)在所述排气腔(220)的底壁(223)上的投影位于所述侧壁(222)围设的区域内,所述排气口(221)开设于所述侧壁(222)上。

2.根据权利要求1所述的尾气装置,其特征在于,所述渐缩通道(230)为锥形空间,所述渐缩通道(230)在与其轴向垂直的截面上的形状为方形或圆形。

3.根据权利要求1所述的尾气装置,其特征在于,所述底壁(223)与所述导流直面(240)相平行。

4.根据权利要求1所述的尾气装置,其特征在于,所述排气口(221)位于所述排气腔(220)邻近所述底壁(223)的一侧。

5.根据权利要求4所述的尾气装置,其特征在于,所述底壁(223)上设有分流结构(2231),所述分流结构(2231)正对所述渐缩通道(230)设置,用于对从所述渐缩通道(230)流出的所述尾气(300)进行分流。

6.根据权利要求5所述的尾气装置,其特征在于,所述分流结构(2231)为形成于所述底壁(223)上的导流斜面,所述导流斜面从所述底壁(223)正对所述渐缩通道(230)的出气口区域向外延倾斜伸至所述侧壁(222),所述排气口(221)位于所述侧壁(222)朝向所述导流斜面的一侧,且所述排气口(221)位于所述导流斜面在所述侧壁(222)的投影区域内。

7.根据权利要求5所述的尾气装置,其特征在于,所述分流结构(2231)为所述底壁(223)朝向所述渐缩通道(230)一侧凹陷所形成的锥面,所述锥面的顶点正对所述渐缩通道(230)的出气口;所述排气口(221)为多个,多个所述排气口(221)间隔分布于所述侧壁(222)上。

8.根据权利要求7所述的尾气装置,其特征在于,所述锥面的顶点位于所述渐缩通道(230)的轴线上。

9.根据权利要求1所述的尾气装置,其特征在于,所述渐缩通道(230)在所述壳体(100)轴向的尺寸大于所述排气腔(220)在所述壳体(100)轴向的尺寸。

10.一种半导体工艺设备,其特征在于,包括半导体工艺腔室(400)和权利要求1至9中任一项所述的尾气装置,所述半导体工艺腔室(400)的排气端(460)与所述尾气装置的进气口(211)连通。

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