[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

公开了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：第一有源图案，位于基底上；第一栅电极，与第一有源图案交叉；一对源极/漏极图案，位于第一有源图案的上部分中并且分别处于第一栅电极的相对侧处；第一栅极盖图案，位于第一栅电极上；层间绝缘层，位于源极/漏极图案上；第一有源接触件和第二有源接触件，穿透层间绝缘层并且分别连接到所述一对源极/漏极图案；以及第一互连层，位于第一有源接触件和第二有源接触件上。第一互连层可以包括：第一绝缘结构，覆盖第二有源接触件的顶表面；以及第一互连线，覆盖第一有源接触件的顶表面并且在第一绝缘结构上延伸，并且覆盖第一栅极盖图案的在第一有源接触件与第二有源接触件之间的顶表面。

于2020年3月2日在韩国知识产权局提交的名称为“半导体装置及其制造方法”的第10-2020-0026158号韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

实施例涉及一种半导体装置及其制造方法。

背景技术

由于半导体装置的小尺寸、多功能和/或低成本特性，半导体装置是电子工业中的重要元件。半导体装置可以包括用于存储数据的存储器装置、用于处理数据的逻辑装置以及包括存储器和逻辑元件两者的混合装置。高可靠性、高性能和/或多种功能可以为电子装置提供快的速度和/或低的功耗。如此，半导体装置的复杂性和/或集成密度正在增加。

发明内容

实施例涉及一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一有源图案，位于基底上；第一栅电极，与第一有源图案交叉；一对源极/漏极图案，设置在第一有源图案的上部分中并且分别设置在第一栅电极的相对侧处；第一栅极盖图案，位于第一栅电极上；层间绝缘层，位于所述一对源极/漏极图案上；第一有源接触件和第二有源接触件，穿透层间绝缘层并且分别连接到所述一对源极/漏极图案；以及第一互连层，位于第一有源接触件和第二有源接触件上。第一互连层可以包括：第一绝缘结构，覆盖第二有源接触件的顶表面；以及第一互连线，覆盖第一有源接触件的顶表面并且在第一绝缘结构上延伸，并且覆盖第一栅极盖图案的在第一有源接触件与第二有源接触件之间的顶表面。

实施例也涉及一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源图案，位于基底上；第一栅电极，与有源图案交叉；一对源极/漏极图案，设置在有源图案的上部分中并且分别设置在第一栅电极的相对侧处；第一栅极盖图案，位于第一栅电极上；层间绝缘层，位于所述一对源极/漏极图案上；第一有源接触件和第二有源接触件，穿透层间绝缘层并且分别连接到所述一对源极/漏极图案，第一有源接触件的上部分在第一栅极盖图案的顶表面上方突出；以及第一互连层，位于第一有源接触件和第二有源接触件上，所述第一互连层包括：绝缘结构，覆盖第二有源接触件的顶表面；以及互连线，覆盖第一有源接触件的顶表面并且在绝缘结构上延伸，并且覆盖第一有源接触件的上部分的侧表面。

实施例也涉及一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：使基底图案化以形成有源图案；形成与有源图案交叉的栅电极；在有源图案的上部分中形成一对源极/漏极图案，所述一对源极/漏极图案分别形成在栅电极的相对侧处；在栅电极上形成栅极盖图案；在所述一对源极/漏极图案上形成第一层间绝缘层；形成穿透第一层间绝缘层并且分别连接到所述一对源极/漏极图案的第一有源接触件和第二有源接触件；形成覆盖第二有源接触件的顶表面的绝缘结构；以及在第一有源接触件、栅极盖图案和绝缘结构上形成互连线，互连线与第一有源接触件的顶表面和栅极盖图案的顶表面接触。

附图说明

通过参照附图详细描述示例实施例，特征对于本领域技术人员将变得明显，在附图中：

图1是示出根据示例实施例的SRAM单元的等效电路图。

图2是示出根据示例实施例的半导体装置的平面图。

图3A至图3E分别是沿着图2的线A-A'、B-B'、C-C'、D-D'和E-E'截取的剖视图。

图4是图3B的部分“M”的放大剖视图。