[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

第一有源图案，位于基底上；

第一栅电极，与第一有源图案交叉；

一对源极/漏极图案，设置在第一有源图案的上部分中并且分别设置在第一栅电极的相对侧处；

第一栅极盖图案，位于第一栅电极上；

层间绝缘层，位于所述一对源极/漏极图案上；

第一有源接触件和第二有源接触件，穿透层间绝缘层并且分别连接到所述一对源极/漏极图案；以及

第一互连层，位于第一有源接触件和第二有源接触件上，

其中，第一互连层包括：第一绝缘结构，覆盖第二有源接触件的顶表面；以及第一互连线，覆盖第一有源接触件的顶表面并且在第一绝缘结构上延伸，并且覆盖第一栅极盖图案的在第一有源接触件与第二有源接触件之间的顶表面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在第一绝缘结构上的第一互连线的高度与在第一有源接触件上的第一互连线的高度之比在0.7至0.9的范围内。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一互连线还覆盖第一绝缘结构的侧表面和顶表面。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一互连线通过第一绝缘结构而与第二有源接触件间隔开。

5.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的半导体装置，其中：

第一互连层包括：节点开放区域，限定与第一有源接触件和第二有源接触件的连接；以及节点关闭区域，限定与第一有源接触件和第二有源接触件的断开，并且

第一绝缘结构设置在节点关闭区域中。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一互连线在预定方向上延伸以进一步覆盖层间绝缘层的顶表面。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

第一互连线包括导电图案和包围导电图案的阻挡图案，并且

阻挡图案直接覆盖第一有源接触件的顶表面和第一栅极盖图案的顶表面。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一绝缘结构包括多个堆叠的绝缘层。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

第二有源图案，位于基底上；

第二栅电极，与第二有源图案交叉；

栅极间隔件，位于第二栅电极的一侧处；以及

第二栅极盖图案，位于第二栅电极上，其中：

第二栅电极的宽度大于第一栅电极的宽度，

第二栅电极的最顶端置于第二栅极盖图案与栅极间隔件之间，并且

第一互连层还包括覆盖第二栅极盖图案与第二栅电极的最顶端的第二绝缘结构。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

第一互连层还包括第二互连线，第二互连线设置为第一互连线相邻并且平行于第一互连线延伸，并且

在第一绝缘结构上的第一互连线的高度与第二互连线的高度之比在0.7至0.9的范围内。

11.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

有源图案，位于基底上；

第一栅电极，与有源图案交叉；

一对源极/漏极图案，设置在有源图案的上部分中并且分别设置在第一栅电极的相对侧处；

第一栅极盖图案，位于第一栅电极上；

层间绝缘层，位于所述一对源极/漏极图案上；

第一有源接触件和第二有源接触件，穿透层间绝缘层并且分别连接到所述一对源极/漏极图案，第一有源接触件的上部分在第一栅极盖图案的顶表面上方突出；以及

第一互连层，位于第一有源接触件和第二有源接触件上，所述第一互连层包括：绝缘结构，覆盖第二有源接触件的顶表面；以及互连线，覆盖第一有源接触件的顶表面并且在绝缘结构上延伸，并且覆盖第一有源接触件的所述上部分的侧表面。