[发明专利]一种晶圆表面杂质取样装置

说明书

本申请实施例公开了一种晶圆表面杂质取样装置，所述装置包括：取样喷嘴和旋转台；其中，所述旋转台用于承载晶圆，并带动所述晶圆旋转；所述旋转台用于承载所述晶圆的表面为承载面；所述取样喷嘴在所述承载面上与所述旋转台相对设置，所述取样喷嘴朝向所述旋转台的底表面呈长条形，所述长条形的长边沿第一方向延伸；所述第一方向为所述旋转台中心到所述旋转台边缘的方向；所述取样喷嘴包括同轴设置的外部喷嘴架和内部扫描喷嘴；所述内部扫描喷嘴用于通过所述底表面喷洒扫描液到所述晶圆上，并回收所述晶圆上的扫描液；所述外部喷嘴架和内部扫描喷嘴之间构成气体腔室，以将所述扫描液阻隔在所述取样喷嘴内。

技术领域

本申请实施例涉及半导体制造领域，特别涉及一种晶圆表面杂质取样装置。

背景技术

目前，在半导体芯片的生产过程中，杂质元素是影响半导体芯片的合格率的重要因素。即使是很微量的杂质元素也可能使得半导体芯片的合格率降低，例如碱金属杂质与碱土金属杂质污染可导致芯片击穿电压的降低；过渡金属杂质与重金属杂质污染可使芯片的寿命缩短，或者使芯片工作时的暗电流增大。杂质元素的含量对半导体芯片的性能和产品寿命均有很大影响，因此，杂质元素的提取和测量对半导体芯片的生产有着十分重要的意义。

然而，目前的杂质元素的提取和测量方案均存在效率低的问题。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种晶圆表面杂质取样装置。

为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：

本申请实施例提供一种晶圆表面杂质取样装置，所述装置包括：取样喷嘴和旋转台；其中，

所述旋转台用于承载晶圆，并带动所述晶圆旋转；所述旋转台用于承载所述晶圆的表面为承载面；

所述取样喷嘴在所述承载面上与所述旋转台相对设置，所述取样喷嘴朝向所述旋转台的底表面呈长条形，所述长条形的长边沿第一方向延伸；所述第一方向为所述旋转台中心到所述旋转台边缘的方向；

所述取样喷嘴包括同轴设置的外部喷嘴架和内部扫描喷嘴；

所述内部扫描喷嘴用于通过所述底表面喷洒扫描液到所述晶圆上，并回收所述晶圆上的扫描液；

所述外部喷嘴架和内部扫描喷嘴之间构成气体腔室，以将所述扫描液阻隔在所述取样喷嘴内。

在一种可选的实施方式中，所述取样喷嘴沿第一方向上的长度与所述取样喷嘴沿第二方向上的长度的比值大于等于8，所述第二方向为所述底表面上垂直于所述第一方向的方向。

在一种可选的实施方式中，所述取样喷嘴沿第一方向上的长度为4cm-6cm；

所述取样喷嘴沿第二方向上的长度为0.3cm-0.6cm，所述第二方向为所述底表面上垂直于所述第一方向的方向。

在一种可选的实施方式中，所述气体腔室沿垂直于所述第一方向的第二方向分隔为互不连通的前端气体腔室和后端气体腔室。

在一种可选的实施方式中，所述装置还包括：前端气体管道、后端气体管道和扫描液管道；其中，

所述前端气体管道与所述前端气体腔室连接，所述后端气体管道与所述后端气体腔室连接；

所述扫描液管道与所述内部扫描喷嘴连接。

在一种可选的实施方式中，所述装置还包括：第一加压组件和第二加压组件；其中，

所述第一加压组件与所述前端气体腔室连接，所述第一加压组件用于独立控制所述前端气体腔室的压力；

所述第二加压组件与所述后端气体腔室连接，所述第二加压组件用于独立控制所述后端气体腔室的压力。