[发明专利]一种高SiO2 在审
申请号: | 202011187277.1 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN112391523A | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 师学峰;胡长庆;龙跃;胡启辰;韩伟刚;李永生;韩涛;王志星 | 申请(专利权)人: | 华北理工大学;河北中科智源新材料技术有限公司 |
主分类号: | C22B1/02 | 分类号: | C22B1/02 |
代理公司: | 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 | 代理人: | 王庆彬 |
地址: | 063000 河北省唐*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 sio base sub | ||
1.一种高SiO2熔剂性球团回转窑过程焙烧控制方法,其特征在于,包括:通过调控组元组成及生产过程温控,实现链篦机回转窑生产高SiO2熔剂性球团高效顺行。
2.根据权利要求1所述的一种高SiO2熔剂性球团回转窑过程焙烧控制方法,其二元碱度(R=CaO/SiO2)为:1.2R0.8。
3.根据权利要求1所述的一种高SiO2熔剂性球团回转窑过程焙烧控制方法,其SiO2含量为0.45-0.6。
4.根据权利要求1所述的一种高SiO2熔剂性球团回转窑过程焙烧控制方法,其爆裂温度大于550℃。
5.根据权利要求1所述的一种高SiO2熔剂性球团回转窑过程焙烧控制方法,其控制MgO含量为2.2%(质量百分比)目的在于控制铁橄榄石类低熔点固溶体的形成。
6.根据权利要求1所述的一种高SiO2熔剂性球团回转窑过程焙烧控制方法,其生产过程链篦机料层高度为350mm。
7.根据权利要求1所述的一种高SiO2熔剂性球团回转窑过程焙烧控制方法,其爆裂温度大于550℃。
8.根据权利要求1所述的一种高SiO2熔剂性球团回转窑过程焙烧控制方法,回转窑所用燃料为无烟煤,其固定碳含量70。
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