[发明专利]硅片载板、载板电极装置和镀膜设备

说明书

本发明提供了一种硅片载板、载板电极装置和镀膜设备。其中，硅片载板包括：载板框架；多个第一电极组件，设于载板框架的内侧，且沿载板框架的周向方向间隔设置；托盘，设于多个第一电极组件的顶部，托盘用于放置硅片；其中，每个第一电极组件延伸至载板框架的底部，用于接触镀膜工艺腔体，置于托盘上的硅片能够通过托盘和第一电极组件与镀膜工艺腔体导通。本发明的技术方案，通过硅片载板与镀膜工艺腔体之间的配合，使硅片能够均匀地接地，可有效增强连接高频的电极板与硅片载板之间的电场的均匀性，可在镀膜过程中使工艺气体能够均匀地附着于硅片表面，有利于改善镀膜效果，提高硅片产品的质量。

技术领域

本申请涉及硅片镀膜工艺设备技术领域，具体而言，涉及一种硅片载板、一种载板电极装置和一种镀膜设备。

背景技术

PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积法)是太阳能电池生产中常用的镀膜方法之一，通常采用相应的PECVD镀膜设备对硅片进行镀膜。现有的PECVD镀膜设备在镀膜工艺过程中，存在连接高频的电极板与放置硅片的载板之间的电场不均匀的问题，影响对硅片的镀膜效果

发明内容

根据本发明的实施例，旨在至少改善现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。

为此，根据本发明的实施例的一个目的在于提供一种硅片载板。

根据本发明的实施例的另一个目的在于提供一种载板电极装置。

根据本发明的实施例的又一个目的在于提供一种镀膜设备。

为了实现上述目的，根据本发明的第一方面的一个实施例提供了一种硅片载板，包括：载板框架；多个第一电极组件，设于载板框架的内侧，并沿载板框架的周向方向间隔设置；托盘，设于多个第一电极组件的顶部，托盘用于放置硅片；其中，每个第一电极组件延伸至载板框架的底部，用于接触镀膜工艺腔体，置于托盘上的硅片能够通过托盘和第一电极组件与镀膜工艺腔体导通。

根据本发明第一方面的实施例，硅片载板包括载板框架、多个第一电极组件和托盘。多个第一电极组件沿载板框架的周向方向间隔设置于载板框架的内侧，通过在多个第一电极组件的顶部设置托盘，用于放置硅片，以实现硅片载板负载硅片，以便于进入镀膜工艺腔体内进行镀膜工艺处理。其中，通过设置第一电极组件延伸至载板框架的底部，以在硅片载板整体进入镀膜工艺腔体内时，第一电极组件的底部可与镀膜工艺腔体接触，从而使托盘上的硅片通过托盘、第一电极组件与镀膜工艺腔体导通，进而利用镀膜工艺腔体实现接地，以满足PECVD镀膜工艺的要求。其中，托盘为电导体。本方案中的硅片载板，通过合理布置第一电极组件，可增强连接高频的电极板与硅片载板之间的电场的均匀性，使工艺气体能够均匀地附着于硅片表面，有利于改善镀膜效果，提高硅片产品的质量。

另外，根据本发明的实施例提供的上述技术方案中的硅片载板还可以具有如下附加技术特征：

在上述技术方案中，第一电极组件包括：固定块，连接于载板框架的内侧；第一电极片，连接于固定块远离载板框架的一端，第一电极片的顶部向固定块的上方伸出，第一电极片的底部向固定块的下方伸出并延伸至载板框架的底部，第一电极片的顶部和底部均向靠近载板框架的方向弯折，并能够在压力作用下发生弹性形变；其中，载板框架靠近外侧的部分由顶部凸出。