[发明专利]光学邻近修正方法在审
申请号: | 202011187204.2 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN112230508A | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 顾婷婷;张浩;陈翰;宋康 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 邻近 修正 方法 | ||
本发明提供了一种光学邻近修正方法,包括:将OPC图形导入OPC软件中,所述OPC图形中具有多个特定图形;选取所述OPC图形中的任一特定图形,对所述特定图形进行光学模拟,以得到模拟图形,将所述模拟图形与所述特定图形重叠,将所述特定图形的相邻的两边分别切割成n段,n≥3;选取n段中的一段或两段作为操作段,分别计算出每个所述操作段与所述模拟图形的最小距离;根据所述最小距离将对应的操作段移动一单位移动量,每移动一次进行一次光学模拟,以更新所述模拟图形,每次更新所述模拟图形之后,重新计算每个所述操作段与所述模拟图形的最小距离。本发明解决了现有技术中OPC图形的光学邻近修正受栅格切分影响导致OPC图形存在修正误差的问题。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种光学邻近修正方法。
背景技术
随着半导体器件尺寸的微缩,对现有工艺的要求越来越高,器件的关键尺寸的一致性要求也日益苛刻,特别是存储芯片的图形设计具有重复性高,图形关键尺寸接近于该产品节点设计尺寸的下限,甚至会比尺寸下限更收紧等特点。在设计后的存储芯片的OPC图形到图形实际成像过程中必然存在一定误差范围,所以需要对存储芯片的OPC图形进行修正。
在应用OPC软件对OPC图形进行修正时,为了加快处理速度,OPC软件会将OPC图形栅格化,然后对栅格化后的OPC图形的子模块同步处理进行修正,再把OPC图形的子模块集成为修正后的OPC图形。然而在将OPC图形栅格化后,OPC图形中的部分图形被切分到不同栅格中再进行处理,在对OPC图形光学模拟后,OPC软件对不同栅格进行处理时,会从不同栅格中随机取样,计算取样点到OPC图形的最小距离来得知此栅格中的修正移动量;然而在一个栅格中取样点不同,计算得到此栅格中的修正移动量会不同,随机取样导致修正移动量不同,最终导致修正后的OPC图形产生修正误差,这些误差可能会导致在成像后上下通孔的覆盖面积不够或者相邻的图形形成连接导致短路等问题,最终导致存储芯片的稳定性低,风险点不可控。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光学邻近修正方法,以解决现有技术中OPC图形的光学邻近修正受栅格切分影响导致OPC图形存在修正误差的问题。
为了达到上述目的,本发明提供了一种光学邻近修正方法,包括:
步骤S1:将OPC图形导入OPC软件中,所述OPC图形中具有多个特定图形,执行步骤S2;
步骤S2:选取所述OPC图形中的任一特定图形,对所述特定图形进行光学模拟,以得到模拟图形,将所述模拟图形与所述特定图形重叠,将所述特定图形的相邻的两边分别切割成n段,n≥3,执行步骤S3;
步骤S3:选取n段中的一段或两段作为操作段,分别计算出每个所述操作段与所述模拟图形的最小距离,执行步骤S4;
步骤S4:根据所述最小距离将对应的操作段移动一单位移动量,每移动一次进行一次光学模拟,以更新所述模拟图形,每次更新所述模拟图形之后,重新计算每个所述操作段与所述模拟图形的最小距离,执行步骤S5;
步骤S5:判断每个所述最小距离与一阈值的大小,当任一所述最小距离大于所述阈值时,执行步骤S4;当每个所述最小距离均小于所述阈值时,执行步骤S6;
步骤S6:利用每个所述操作段的移动量之和一次性修正OPC图形中的所有特定图形,并更新所述OPC图形。
可选的,在步骤S4中,根据所述最小距离将对应的操作段移动所述单位移动量时,同步移动所有所述操作段,或者单独移动任一所述操作段。
可选的,在步骤S4中,不移动所述最小距离小于所述阈值的操作段。
可选的,当n为奇数时,选取n段中的中心的一段作为所述操作段;当n为偶数时,选取n段中的中心的两段作为所述操作段。
可选的,所述OPC图形对应所述存储芯片中的金属层的图形。
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