[发明专利]光学邻近修正方法

权利要求书

1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：

步骤S1：将OPC图形导入OPC软件中，所述OPC图形中具有多个特定图形，执行步骤S2；

步骤S2：选取所述OPC图形中的任一特定图形，对所述特定图形进行光学模拟，以得到模拟图形，将所述模拟图形与所述特定图形重叠，将所述特定图形的相邻的两边分别切割成n段，n≥3，执行步骤S3；

步骤S3：选取n段中的一段或两段作为操作段，分别计算出每个所述操作段与所述模拟图形的最小距离，执行步骤S4；

步骤S4：根据所述最小距离将对应的操作段移动一单位移动量，每移动一次进行一次光学模拟，以更新所述模拟图形，每次更新所述模拟图形之后，重新计算每个所述操作段与所述模拟图形的最小距离，执行步骤S5；

步骤S5：判断每个所述最小距离与一阈值的大小，当任一所述最小距离大于所述阈值时，执行步骤S4；当每个所述最小距离均小于所述阈值时，执行步骤S6；

步骤S6：利用每个所述操作段的移动量之和一次性修正OPC图形中的所有特定图形，并更新所述OPC图形。

2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在步骤S4中，根据所述最小距离将对应的操作段移动所述单位移动量时，同步移动所有所述操作段，或者单独移动任一所述操作段。

3.如权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在步骤S4中，不移动所述最小距离小于所述阈值的操作段。

4.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，当n为奇数时，选取n段中的中心的一段作为所述操作段；当n为偶数时，选取n段中的中心的两段作为所述操作段。

5.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述OPC图形对应所述存储芯片中的金属层的图形。

6.如权利要求5所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述特定图形为矩形。

7.如权利要求6所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述矩形的边长为金属层设计规则最小尺寸的2倍～3倍。

8.如权利要求7所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述金属层设计规则最小尺寸为75纳米～100纳米。

9.如权利要求8所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述操作段的长度分别为L1和L2，n段中的除去操作段的其他段的长度相等且均为L3，L3等于所述金属层设计规则最小尺寸的0.7倍。

10.如权利要求9所述的光学邻近修正方法，其特征在于，L3≤L1≤2×L3且L3≤L2≤2×L3。

11.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述单位移动量为2纳米～5纳米。

12.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，执行步骤S6之后，还执行步骤S7，

步骤S7：将更新所述OPC图形栅格化，对所述OPC图形中除去所有所述特定图形的其他图形进行修正，以得到所述OPC图形的目标修正图形。