[发明专利]一种非易失性存储器的过擦除现象的检测方法在审

专利信息
申请号: 202011181821.1 申请日: 2020-10-29
公开(公告)号: CN112466375A 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 汪齐方;陈涛;冯国友 申请(专利权)人: 普冉半导体(上海)股份有限公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34;G11C7/18;G11C8/08
代理公司: 上海元好知识产权代理有限公司 31323 代理人: 包姝晴;张静洁
地址: 201210 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 非易失性存储器 擦除 现象 检测 方法
【权利要求书】:

1.一种非易失性存储器的过擦除现象的检测方法,其特征在于,包括:

步骤S1、对待检测的非易失性存储器进行上电,使得非易失性存储器释放内部配置信息;

步骤S2、检测漏电初始化;

步骤S3、对所述非易失性存储器的所有全局位线进行漏电检测,若当前被检测的全局位线存在漏电,则进入步骤S4;

步骤S4、对当前存在漏电的全局位线中的所有局部位线依次进行漏电检测,若当前被检测的局部位线存在漏电,则进入步骤S5;

步骤S5、对当前存在漏电的局部位线进行过擦除修复操作。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器的过擦除现象的检测方法,其特征在于,所述非易失性存储器包括:若干个第一物理块,每一所述第一物理块包括若干个第二物理块,相邻的第二物理块之间的字线连接,若干个所述第二物理块共用选择管的输入信号、共用源极信号,每一所述第二物理块设有一根全局位线。

3.如权利要求2所述的非易失性存储器的过擦除现象的检测方法,其特征在于,每一所述第二物理块包括:若干行存储单元、若干列的存储单元和一全局位线,每一行字线用于将每一行存储单元的所有栅极连接,每一列局部位线用于将每一列存储单元的所有漏极连接,所有所述存储单元的源极相互连接并接入源端电压;所有所述局部位线经选择管与所述全局位线连接。

4.如权利要求3所述的非易失性存储器的过擦除现象的检测方法,其特征在于,每一所述选择管的栅极对应输入选择信号,每一所述选择管的漏极与对应的所述全局位线连接;每一所述选择管的源极对应的与局部位线连接。

5.如权利要求4所述的非易失性存储器的过擦除现象的检测方法,其特征在于,执行所述步骤S3之前还包括:在进行漏电检测时,使所述非易失性存储器的所有字线全部使能到第一预设电压值,所述非易失性存储器的所有选择管的栅极同时打开,所有所述选择信号全部使能到第二预设电压值或为电源电压。

6.如权利要求5所述的非易失性存储器的过擦除现象的检测方法,其特征在于,所述步骤S4和步骤S5包括:使当前存在漏电的全局位线的所有字线全部使能到第三预设电压值或为0V;使任意部分的选择管的栅极使能,使得相应的选择管的栅极电压使能到第四预设电压值或为电源电压,选择当前存在漏电的全局位线内的一组局部位线进行漏电检测,如果当前待测的所有局部位线没有漏电,则进行下一组局部位线进行漏电检测;

如果当前待测的局部位线有漏电,则停在当前存在漏电的局部位线进行过擦除修复操作,修复完之后再对当前经擦除修复操作的所述局部位线再次进行漏电检测,如果当前经擦除修复操作的所述局部位线仍然存在漏电,则再对该经擦除修复操作的所述局部位线进行过擦除修复操作,如此循环;直到当前经擦除修复操作的所述局部位线不漏电。

7.如权利要求6所述的非易失性存储器的过擦除现象的检测方法,其特征在于,还包括:

回到当前存在漏电的全局位线,然后判断该全局位线是否为最后一根全局位线,若否,则进位到所述非易失性存储器中的下一根全局位线,重复步骤S2~步骤S5;

直到最后一根所述全局位线检测完成,所述非易失性存储器恢复到非检测状态,上电结束。

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