[发明专利]阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在玻璃基板上沉积第一金属层，对第一金属层进行曝光显影和刻蚀形成位于外围区域的第一信号走线和位于显示区域的第一信号走线；

S2、沉积覆盖第一金属层的第一绝缘层；

S3、对第一绝缘层进行刻蚀并刻蚀掉位于显示区域的第一绝缘层，露出显示区域的第一信号走线；

S4、沉积第二金属层，对第二金属层进行曝光显影和刻蚀，去除位于显示区域内第一信号走线刻蚀、并形成扫描线和与扫描线连接的栅极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述显示区域的第一信号走线的走线密度与外围区域的第一信号走线的走线密度相同。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述显示区域的第一信号走线为直线和/或曲线。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述显示区域的第一信号走线为连续的或非连续的。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述显示区域的第一信号走线和外围区域的第一信号走线形状相同。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，步骤S1形成的位于显示区域的第一信号走线和步骤S4形成的扫描线在空间上不重合。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在步骤S4之后还包括如下步骤：

S5：沉积覆盖第二金属层的栅极绝缘层；

S6：沉积半导体材料层，对半导体材料层进行刻蚀形成半导体层；

S7：沉积第三金属层，对第三金属层进行刻蚀形成数据线、源极和漏极，源极和漏极均与半导体层接触；

S8：形成覆盖第三金属层的第二绝缘层；

S9：沉积第一透明半导体层，对第一透明半导体层进行刻蚀形成区块的触控电极；

S10：沉积覆盖触控电极的第三绝缘层，并形成位于漏极上的漏极接触孔和位于触控电极上的触控接触孔；

S11：沉积第四金属层，对第四金属层进行刻蚀形成触控信号传输线，触控信号传输线的一端通过触控接触孔与触控电极连接，触控信号传输线的另一端与芯片连接；

S11：沉积第二沉积透明半导体层，对第二透明半导体层进行刻蚀形成像素电极，像素电极通过漏极接触孔与漏极接触。

8.一种阵列基板，其包括基板、位于基板上的薄膜晶体管、覆盖薄膜晶体管的第二绝缘层、位于第二绝缘层上的多个触控电极、覆盖触控电极的第三绝缘层、连接触控电极和芯片的触控信号传输线以及像素电极，其中薄膜晶体管包括基板上的栅极、覆盖栅极的栅极绝缘层、源极、漏极和均与源极和漏极接触的半导体层，像素电极与漏极连接；其特征在于，还包括位于基板上且位于外围区域的第一信号走线和覆盖第一信号走线的第一绝缘层。