[发明专利]集成封装模组的制造方法、集成封装模组及电子设备

权利要求书

1.一种集成封装模组的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

将若干第一电子元器件装配到预制的PCB板的第一面，其中，所述PCB板上设置有一通孔；

对所述PCB板第一面的部分或全部第一电子元器件进行沉积封装材料形成第一封装层，所述第一封装层未覆盖所述通孔；

在所述PCB板的第二面装配具有发声区域的MEMS扬声器，其中所述第二面与所述第一面相对设置；

对所述PCB板第二面的MEMS扬声器进行沉积封装材料形成第二封装层，其中，所述第二封装层和所述发声区域不重叠；

所述通孔与所述发声区域对应设置。

2.根据权利要求1所述集成封装模组的制造方法，其特征在于，对所述PCB板第一面的部分或全部第一电子元器件进行沉积封装材料形成第一封装层的步骤之后，所述制造方法还包括如下步骤：

在所述PCB板的第二面装配若干第二电子元器件；

形成所述第二封装层的步骤中，所述第二电子元器件封装于所述第二封装层内。

3.根据权利要求2所述的集成封装模组的制造方法，其特征在于，形成所述第二封装层的步骤包括：

在所述PCB板上沉积第一层封装，将若干所述第二电子元器件封装于所述第一层封装内；

所述MEMS扬声器装配于所述第一层封装上。

4.根据权利要求3所述的集成封装模组的制造方法，其特征在于，所述第一层封装内贯穿设有与所述PCB板电连接的导电元件，所述导电元件裸露于所述第一层封装远离所述PCB板的表面，所述MEMS扬声器与所述导电元件进行连接以实现与所述PCB板的电信号连接。

5.根据权利要求3所述的集成封装模组的制造方法，其特征在于，形成所述第二封装层的步骤包括：

在所述第一层封装上沉积第二层封装，所述第二层封装用于封装所述MEMS扬声器并与所述发声区域不重叠。

6.根据权利要求4所述的集成封装模组的制造方法，其特征在于，所述导电元件凸出于所述第一层封装表面，所述MEMS扬声器固定于所述导电元件上，所述发声区域与所述PCB板的第二面相对间隔设置。

7.根据权利要求6所述的集成封装模组的制造方法，其特征在于，形成所述第二封装层的步骤之前，所述制造方法还包括如下步骤：

在所述MEMS扬声器周围点胶并固化以环绕密封所述导电元件。

8.根据权利要求4所述的集成封装模组的制造方法，其特征在于，所述MEMS扬声器通过引线键合的方式与所述PCB板的第二面进行电信号连接。

9.根据权利要求2所述的集成封装模组的制造方法，其特征在于，所述PCB板上设置有凸出于PCB板表面的导电元件，所述MEMS扬声器装配于所述导电元件上实现与所述PCB板电信号连接。

10.根据权利要求1所述的集成封装模组的制造方法，其特征在于，所述第一电子元器件包括有源器件，在形成所述第一封装层或形成所述第二封装层的步骤之后，所述制造方法还包括如下步骤：

在所述第一封装层的外表面沉积电磁屏蔽材料层。

11.根据权利要求1所述的集成封装模组的制造方法，其特征在于，所述通孔贯穿所述第一封装层和所述PCB板。

12.根据权利要求10所述的集成封装模组的制造方法，其特征在于，所述第一电子元器件还包括无源器件，在沉积所述电磁屏蔽材料层之后，所述制造方法还包括步骤：

在所述PCB板的第一面装配具有收容空间的后腔壳体，所述后腔壳体将所述有源器件和所述无源器件收容在其内，所述第一封装层封装所述有源器件。

13.根据权利要求12所述的集成封装模组的制造方法，其特征在于，所述收容空间与所述通孔连通，所述后腔壳体的侧方贯穿设置有将所述收容空间与外界连通的均压孔。