[发明专利]显示基板及其制备方法

说明书

本发明提供一种显示基板及其制备方法，包括衬底，所述衬底包括呈阵列排布的多个像素结构，每一像素结构包括：有机薄膜晶体管，所述有机薄膜晶体管设置在所述衬底的第一区域；像素电极，所述像素电极设置在所述衬底的第二区域；其中，所述第一区域和所述第二区域沿平行所述衬底的方向并列设置在所述衬底的一侧。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别关于一种显示基板及其制备方法。

背景技术

近年，随着有机半导体材料的发现和发展，已经制备出了利用有机材料代替无机材料作为载流子传输的有机薄膜晶体管器件，并且有机薄膜晶体器件的性能正逐步提升。

有机薄膜晶体管(Organic Thin FilmTransistor，OTFT)的基本结构和功能与传统的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)基本相同，不同的是有机薄膜晶体管采用了有机半导体作为工作物质。传统的薄膜晶体管，是利用低温多晶硅（P-Si）或者金属氧化物（IGZO）做沟道，形成场效应管。而有机薄膜晶体管则采用有机半导体材料取代低温多晶硅导体材料做沟道，形成场效应管。与现有的非晶硅或多晶硅TFT相比，OTFT具有以下特点：加工温度低，一般在180℃以下，能够适用于柔性显示基板制备；工艺过程大大简化，成本大幅度降低；材料来源广泛，发展潜力大。OTFT有可能在许多电子产品上得到应用，如有源矩阵显示器等。

然而，如果直接采用传统的薄膜晶体管的图案设计和制备工艺形成有机薄膜晶体管容易导致有机半导体晶体管损伤。有鉴于此，需要提出一种新的显示基板，以克服现有的制备工艺不合理、制备步骤等限制有机薄膜晶体管性能的问题。

发明内容

本发明提供了一种显示基板及其制作方法，克服现有的基于有机薄膜晶体管的显示基板中，因制备步骤顺序不合理和制备步骤复杂的导致的有机薄膜晶体管性能不佳的问题。

本发明一实施例中提供一种显示基板，包括基板，所述衬底设置有阵列排布的多个像素结构，每一像素结构包括：有机薄膜晶体管，所述有机薄膜晶体管设置在所述衬底的第一区域；像素电极，所述像素电极设置在所述衬底的第二区域；其中，所述第一区域和所述第二区域沿平行所述衬底的方向并列设置在所述衬底的一侧。

作为可选的技术方案，所述有机薄膜晶体管还包括自下而上层叠设置的栅极、栅极绝缘层、相互隔开的源极和漏极以及有机半导体层。

作为可选的技术方案，每一像素结构还包括像素定义层，所述像素定义层设置于所述栅极绝缘层远离所述衬底的一侧表面上，所述像素定义层包括沟道开孔区和像素开孔区，部分所述源极和部分所述漏极分别自所述沟道开孔区中暴露出，所述像素电极自所述像素开孔区中暴露出。

作为可选的技术方案，所述有机半导体层形成于所述沟道开孔区中，接触暴露出的部分所述源极和暴露出的部分所述漏极，且覆盖于部分所述源极、部分所述栅极绝缘层和部分所述漏极各自远离所述衬底一侧。

作为可选的技术方案，还包括电源线和数据线，所述电源线和所述数据线分别与所述像素电极同层设置。

作为可选的技术方案，每一像素结构还包括储存电容，所述储存电容包括电容上电极；所述电容上电极和所述像素电极分别设置于所述栅极绝缘层远离所述衬底的一侧。

作为可选的技术方案，所述储存电容还包括电容下电极，所述电容下电极与所述栅极图案层同层设置。

本发明还一实施例中还提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板的制备方法包括：

S201、提供衬底；

S202、形成有机薄膜晶体管在所述衬底的第一区域；以及

S203、形成像素电极在所述衬底的第二区域；

其中，所述第一区域和所述第二区域沿平行所述衬底的方向并列设置在所述衬底的一侧。