[发明专利]显示基板及其制备方法在审
| 申请号: | 202011177347.5 | 申请日: | 2020-10-28 |
| 公开(公告)号: | CN112331706A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
| 发明(设计)人: | 刘如胜;申丽萍;邢汝博;李骄阳 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 南京科知维创知识产权代理有限责任公司 32270 | 代理人: | 梁珺 |
| 地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示基板,包括衬底,所述衬底上设置有阵列排布的多个像素结构,其特征在于,每一像素结构包括:
有机薄膜晶体管,所述有机薄膜晶体管设置在所述衬底的第一区域;
像素电极,所述像素电极设置在所述衬底的第二区域;
其中,所述第一区域和所述第二区域沿平行所述衬底的方向并列设置在所述衬底的一侧。
2.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述有机薄膜晶体管还包括自下而上层叠设置的栅极、栅极绝缘层、相互隔开的源极和漏极以及有机半导体层。
3.如权利要求2所述的显示基板,其特征在于,每一像素结构还包括像素定义层,所述像素定义层设置于所述栅极绝缘层远离所述衬底的一侧表面上,所述像素定义层包括沟道开孔区和像素开孔区,部分所述源极和部分所述漏极分别自所述沟道开孔区中暴露出,所述像素电极自所述像素开孔区中暴露出。
4.如权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述有机半导体层形成于所述沟道开孔区中,接触暴露出的部分所述源极和暴露出的部分所述漏极,且覆盖于部分所述源极、部分所述栅极绝缘层和部分所述漏极各自远离所述衬底一侧。
5.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,还包括电源线和数据线,所述电源线和所述数据线分别与所述像素电极同层设置。
6.如权利要求2所述的显示基板,其特征在于,每一像素结构还包括储存电容,所述储存电容包括电容上电极;所述电容上电极和所述像素电极分别设置于所述栅极绝缘层远离所述衬底的一侧。
7.如权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述储存电容还包括电容下电极,所述电容下电极与所述栅极图案层同层设置。
8.一种显示基板的制备方法,其特征在于,所述显示基板的制备方法包括:
S201、提供衬底;
S202、形成有机薄膜晶体管在所述衬底的第一区域;以及
S203、形成像素电极在所述衬底的第二区域;
其中,所述第一区域和所述第二区域沿平行所述衬底的方向并列设置在所述衬底的一侧。
9.如权利要求8中所述显示基板的制备方法,其特征在于,
S202、所述形成有机薄膜晶体管在所述衬底的第一区域,还包括:
形成栅极于所述衬底的一侧;
形成栅极绝缘层于所述栅极远离所述衬底的一侧表面上;
形成源极和漏极于所述栅极绝缘层远离所述衬底的一侧表面上;
S203、所述形成像素电极于所述衬底的第二区域,还包括:
形成像素电极于所述栅极绝缘层远离所述衬底的一侧表面上。
10.如权利要求9中所述显示基板的制备方法,其特征在于,还包括
S204、形成像素定义层于所述栅极绝缘层远离所述衬底的一侧表面上;
S205、形成多个沟道开孔区和多个像素开孔区于所述像素定义层中,部分所述源极和部分所述漏极从对应的沟道开孔区中暴露出;
S206、形成有机半导体层至对应的所述沟道开孔区中,所述有机半导体层接触部分所述源极和部分所述漏极,且覆盖于部分所述源极、所述栅极绝缘层和部分所述漏极各自远离所述衬底一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





