[发明专利]电子装置的制作方法在审
| 申请号： | 202011176590.5 | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN113571422A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 陈永一 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张娜;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 装置 制作方法 | ||
1.一种电子装置的制作方法，其特征在于，包括：
提供基板，其中所述基板包括主体区和周边区；
形成晶种层于所述基板上；
形成电路结构层于所述晶种层上，其中所述电路结构层具有设置于所述主体区上的多个芯片连接结构以及设置于所述周边区上的多个测试电路结构，所述多个芯片连接结构与所述多个测试电路结构彼此物理分离，且所述多个芯片连接结构与所述多个测试电路结构通过所述晶种层电性连接；
执行电路测试步骤，其中所述电路测试步骤包括施加预定电压至所述多个测试电路结构，以测试所述多个芯片连接结构；以及
获取测试结果，以确认芯片是否电性连接至所述多个芯片连接结构。
2.根据权利要求1所述的电子装置的制作方法，其特征在于，所述晶种层设置于所述基板的所述主体区上以及所述基板的所述周边区上。
3.根据权利要求1所述的电子装置的制作方法，其特征在于，所述电路结构层为重布层。
4.根据权利要求1所述的电子装置的制作方法，其特征在于，所述晶种层为包括由不同材料形成的多个子层的复合层。
5.根据权利要求1所述的电子装置的制作方法，其特征在于，所述多个测试电路结构中的至少一个包括上导电垫和导电结构，且所述上导电垫不直接连接至所述导电结构。
6.根据权利要求1所述的电子装置的制作方法，其特征在于，所述多个测试电路结构中的至少一个包括上导电垫和导电结构，且所述上导电垫直接连接至所述导电结构。
7.根据权利要求1所述的电子装置的制作方法，其特征在于，所述基板还包括切割线，所述多个测试电路结构中的至少一个包括上导电垫和下导电垫，且在所述基板的法线方向上，所述上导电垫和所述切割线之间具有间隙，且所述下导电垫和所述切割线之间具有间隙。
8.根据权利要求1所述的电子装置的制作方法，其特征在于，所述电路测试步骤还包括通过所述晶种层将所述预定电压传递至所述多个芯片连接结构。
9.根据权利要求1所述的电子装置的制作方法，其特征在于，通过电容耦合方式将预定电压施加至所述多个测试电路结构。
10.根据权利要求1所述的电子装置的制作方法，其特征在于，还包括：
在执行所述电路测试步骤之后，移除所述基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
