[发明专利]可加强铂钯银导体抗银迁移能力的陶瓷电路板制造方法在审
申请号: | 202011173926.2 | 申请日: | 2020-10-28 |
公开(公告)号: | CN112235959A | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 蒋毅勰;吴荧 | 申请(专利权)人: | 上海读家电子科技有限公司 |
主分类号: | H05K3/12 | 分类号: | H05K3/12 |
代理公司: | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人: | 肖爱华 |
地址: | 201900 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加强 铂钯银 导体 迁移 能力 陶瓷 电路板 制造 方法 | ||
1.一种可加强铂钯银导体抗银迁移能力的陶瓷电路板制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
(一)在含92-99%Al2O3的氧化铝陶瓷基板上印刷铂钯银导体浆料,经烘干工艺烘干后,在烧结炉中经高温恒温烧结,使铂钯银导体与陶瓷板产生结合力,形成导线线路;
(二)再将玻璃釉浆料印刷在所述氧化铝陶瓷基板上的导线位置,再经相同的烘干工艺烘干后,在烧结炉中经580℃-630℃恒温烧结,使铂钯银导体表层覆盖一层玻璃釉绝缘保护层。
2.如权利要求1所述的可加强铂钯银导体抗银迁移能力的陶瓷电路板制造方法,其特征在于,所述的陶瓷电路板制造方法,还包括以下步骤:在完成步骤(一)形成导线线路之后,按电路图要求,将电阻浆料印刷在所述氧化铝陶瓷基板上的导线线路上。
3.如权利要求1或2所述的可加强铂钯银导体抗银迁移能力的陶瓷电路板制造方法,其特征在于,上述步骤(二)中,将玻璃釉浆料印刷在导线位置烘干后,在烧结炉中经600℃-620℃恒温烧结4-8分钟。
4.如权利要求3所述的可加强铂钯银导体抗银迁移能力的陶瓷电路板制造方法,其特征在于,上述步骤(二)中,将玻璃釉浆料印刷在导线位置烘干后,在烧结炉中经610℃恒温烧结5分钟。
5.如权利要求1或2所述的可加强铂钯银导体抗银迁移能力的陶瓷电路板制造方法,其特征在于,上述步骤(二)中,所述玻璃釉浆料选用日本住友公司与上海住矿电子浆料有限公司合资生产的IG-9001玻璃釉浆料;所述IG-9001玻璃釉浆料中包含:玻璃粉60-70%,氧化铬III2%,乙基纤维素5%,二甘醇三丁醚醋酸酯15%,葵二酸二丁酯5%,萜品醇15%;所述玻璃粉中包含:铋40%,硼9%,铝8%,硅9%,锆4%,锌2%,钡3%;所述IG-9001玻璃釉浆料的10转粘度为130-170Pa.s,比重为2.0-3.0,挥发性物质35%;以上均为质量百分比;印刷网目200-300mesh,印刷的玻璃釉浆料的干燥膜厚为15-18um,烧成的玻璃釉绝缘保护层的厚度控制在9-10um。
6.如权利要求1或2所述的可加强铂钯银导体抗银迁移能力的陶瓷电路板制造方法,其特征在于,所述烘干工艺为140℃-170℃烘干5分钟以上。
7.如权利要求1或2所述的可加强铂钯银导体抗银迁移能力的陶瓷电路板制造方法,其特征在于,上述步骤(一)中,所述高温恒温烧结的烧结温度为850℃±2℃;所述高温恒温烧结的烧结时间为9-12分钟。
8.如权利要求7所述的可加强铂钯银导体抗银迁移能力的陶瓷电路板制造方法,其特征在于,所述高温恒温烧结的烧结时间为10分钟。
9.如权利要求1或2所述的可加强铂钯银导体抗银迁移能力的陶瓷电路板制造方法,其特征在于,上述步骤(一)中,所述铂钯银导体浆料,选用以钯和银作为导体的钯银导体浆料,或选用以铂、钯、银作为导体的铂钯银导体浆料。
10.如权利要求1或2所述的可加强铂钯银导体抗银迁移能力的陶瓷电路板制造方法,其特征在于,上述步骤(一)中,所述铂钯银导体浆料,选用以铂和银作为导体的铂银导体浆料。
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