[发明专利]阵列基板、其制作方法及显示面板在审
| 申请号: | 202011171710.2 | 申请日: | 2020-10-28 |
| 公开(公告)号: | CN112259562A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
| 发明(设计)人: | 黄建龙 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 制作方法 显示 面板 | ||
本发明涉及显示技术领域,公开了一种阵列基板、其制作方法及显示面板,所述阵列基板包括:基板;遮光层,设于所述基板上,所述遮光层两侧设置有第一孔结构和第二孔结构;钝化层,覆盖所述遮光层,并于所述第一孔结构和所述第二孔结构上方形成有第一凹陷;有源层,设于所述钝化层上,并位于所述遮光层上方,且于两侧形成有源漏极接触区,所述源漏极接触区在垂直对应于所述第一孔结构和所述第二孔结构处形成有第二凹陷;栅极,设于所述有源层中间部位上方;源极和漏极,分别有一端连接所述有源层两侧的所述源漏极接触区,并填充于所述第二凹陷内。本发明提供的阵列基板增大了源极和漏极与有源层之间的接触面积,提高了信号传输的稳定性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板、其制作方法及显示面板。
背景技术
薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)用于驱动显示装置中的发光单元发光。TFT包括顶栅型薄膜晶体管和底栅型薄膜晶体管。顶栅型薄膜晶体管从下到上依次包括基板、有源层、栅极绝缘层、栅极、中间绝缘层,还包括设置在有源层沟道区域以及中间绝缘层上的源极和漏极。然而,由于源极和漏极分别与有源层经由过孔连接,使得源极、漏极与有源层之间的接触为面接触,接触面积较小。当接触面上存在颗粒或中间绝缘层在刻蚀形成过孔时有刻蚀残留,将会减小源极、漏极与有源层之间的接触面积,影响信号传输,导致显示异常。
因而如何增大源极、漏极与有源层之间的接触面积,进而提高信号传输的稳定性的问题亟待解决。
发明内容
本发明提供了一种阵列基板、其制作方法及显示面板,增大了源极和漏极与有源层之间的接触面积,提高了信号传输的稳定性。
本发明提供了一种阵列基板,包括:
基板;
遮光层,设于所述基板上,所述遮光层两侧设置有第一孔结构和第二孔结构;
钝化层,覆盖所述遮光层,并于所述第一孔结构和所述第二孔结构上方形成有第一凹陷;
有源层,设于所述钝化层上,并位于所述遮光层上方,且于两侧形成有源漏极接触区,所述源漏极接触区在垂直对应于所述第一孔结构和所述第二孔结构处形成有第二凹陷;
栅极,设于所述有源层中间部位上方;
源极和漏极,分别有一端连接所述有源层两侧的所述源漏极接触区,并填充于所述第二凹陷内。
优选的,所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层;其中,
所述第一钝化层的材料为氮化硅;
所述第二钝化层的材料为氧化硅。
优选的,所述有源层包括源漏极接触区和沟道区。
优选的,所述阵列基板还包括中间绝缘层,所述中间绝缘层覆盖所述栅极,并对应于所述第二凹陷设置有通孔,所述源极和所述漏极穿过所述通孔填充于所述第二凹陷内。
优选的,所述阵列基板还包括:
第一平坦层,设于所述源极和所述漏极上;
公共电极,设于所述第一平坦层上;
第二平坦层,设于所述公共电极上,并设有接触孔以暴露所述漏极;以及
像素电极,设于所述第二平坦层上,并通过所述接触孔与所述漏极相连接。
本发明还提供了一种阵列基板的制作方法,所述制作方法包括:
提供基板;
制备遮光层于所述基板上,所述遮光层两侧设置有第一孔结构和第二孔结构;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





