[发明专利]阵列基板、其制作方法及显示面板在审
| 申请号: | 202011171710.2 | 申请日: | 2020-10-28 |
| 公开(公告)号: | CN112259562A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
| 发明(设计)人: | 黄建龙 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 制作方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基板;
遮光层,设于所述基板上,所述遮光层两侧设置有第一孔结构和第二孔结构;
钝化层,覆盖所述遮光层,并于所述第一孔结构和所述第二孔结构上方形成有第一凹陷;
有源层,设于所述钝化层上,并位于所述遮光层上方,且于两侧形成有源漏极接触区,所述源漏极接触区在垂直对应于所述第一孔结构和所述第二孔结构处形成有第二凹陷;
栅极,设于所述有源层中间部位上方;
源极和漏极,分别有一端连接所述有源层两侧的所述源漏极接触区,并填充于所述第二凹陷内。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层;其中,
所述第一钝化层的材料为氮化硅;
所述第二钝化层的材料为氧化硅。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层包括源漏极接触区和沟道区。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括中间绝缘层,所述中间绝缘层覆盖所述栅极,并对应于所述第二凹陷设置有通孔,所述源极和所述漏极穿过所述通孔填充于所述第二凹陷内。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
第一平坦层,设于所述源极和所述漏极上;
公共电极,设于所述第一平坦层上;
第二平坦层,设于所述公共电极上,并设有接触孔以暴露所述漏极;以及
像素电极,设于所述第二平坦层上,并通过所述接触孔与所述漏极相连接。
6.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
提供基板;
制备遮光层于所述基板上,所述遮光层两侧设置有第一孔结构和第二孔结构;
制备钝化层以覆盖所述遮光层,所述钝化层于所述第一孔结构和所述第二孔结构上方形成有第一凹陷;
制备有源层于所述钝化层上,并位于所述遮光层上方,且于两侧形成有源漏极接触区,所述源漏极接触区在垂直对应于所述第一孔结构和所述第二孔结构处形成有第二凹陷;
制备栅极于所述有源层中间部位上方;
制备源极和漏极,所述源极和所述漏极分别有一端连接所述有源层两侧的所述源漏极接触区,并填充于所述第二凹陷内。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述有源层包括源漏极接触区和沟道区。
8.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括制备中间绝缘层,所述中间绝缘层覆盖所述栅极,并对应于所述第二凹陷设置有通孔,所述源极和所述漏极穿过所述通孔填充于所述第二凹陷内。
9.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括:
制备第一平坦层于所述源极和所述漏极上;
制备公共电极于所述第一平坦层上;
制备第二平坦层于所述公共电极上,并设有接触孔以暴露所述漏极;以及
制备像素电极于所述第二平坦层上,并通过所述接触孔与所述漏极相连接。
10.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括如权利要求1至5任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





