[发明专利]一种制备多尺寸环形莫桑石的有效方法

权利要求书

1.一种制备多尺寸环形莫桑石的有效方法，其特征在于，包括下述步骤：

(1)使用由碳化硅单晶衬底和多尺寸环形石墨圆筒构成的复合衬底，所述碳化硅单晶衬底为加工后的平片，其中生长面经过化学机械抛光，背生长面仅需机械抛光；所述环形石墨圆筒由一系列长度相同而半径不同的石墨圆筒组成；所述碳化硅单晶衬底其生长面与半径不同的石墨圆筒同轴粘结；将所述粘结好的复合衬底固定在石墨坩埚上盖内侧；

(2)碳化硅原料放于石墨坩埚内底部，拧紧石墨坩埚盖并放入晶体生长炉中进行莫桑石生长；

(3)莫桑石生长中，采用中频感应加热，生长温度保持2100℃-2300℃，衬底保持在低温区域，碳化硅原料保持在高温区域，生长压力保持1-4×10⁴Pa之间，生长炉中通入氩气作为载气；

(4)高温下升华的碳化硅原料气相组分在低温区的复合衬底上生长成为多尺寸环形莫桑石。

2.如权利要求1所述的制备多尺寸环形莫桑石的有效方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述碳化硅单晶衬底厚度为500μm-600μm，所述环形石墨圆筒径向厚度为1-5mm，长度为1cm-3cm。

3.如权利要求1所述的制备多尺寸环形莫桑石的有效方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述环形石墨圆筒半径为1cm-10cm。

4.如权利要求1所述的制备多尺寸环形莫桑石的有效方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述石墨坩埚盖与石墨坩埚主体通过螺纹拧紧连接。