[发明专利]一种三维存储器及其接触插塞的制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器的接触插塞的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体晶圆，所述半导体晶圆包括衬底、衬底上方的堆叠结构及所述堆叠结构上方的层间介质层，所述堆叠结构中形成有沿所述半导体晶圆高度方向贯穿所述堆叠结构的阵列共源极以及位于所述阵列共源极外围的台阶区域；

对所述层间介质层及所述堆叠结构进行刻蚀，以同时形成暴露所述阵列共源极的开口和所述台阶区域的顶部接触孔；

经由所述开口去除所述阵列共源极中心的填充物，以至暴露所述阵列共源极边缘的第一导电介质；

在所述开口和所述顶部接触孔中填充第二导电介质以形成接触插塞。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：平坦化所述半导体晶圆的上表面，以同时去除所述开口和所述顶部接触孔上方多余的第二导电介质。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述暴露所述阵列共源极边缘的第一导电介质是通过扩大所述开口形成的。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述开口在所述半导体晶圆高度方向的投影形状为圆形、矩形或椭圆形。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在暴露所述阵列共源极边缘的第一导电介质的步骤之后，所述制造方法还包括：

对所述层间介质层和所述堆叠结构进行刻蚀，以形成所述台阶区域的底部接触孔。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，形成所述接触插塞进一步包括：

同步地在所述开口、所述顶部接触孔和所述底部接触孔中填充第二导电介质以形成所述接触插塞。

7.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，还包括：平坦化所述半导体晶圆的上表面，以同时去除所述开口、所述顶部接触孔和所述底部接触孔上方多余的第二导电介质。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述阵列共源极中心的填充物为多晶硅。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，去除所述阵列共源极中心的填充物的步骤进一步包括：

控制去除的多晶硅的深度以控制所述半导体晶圆的翘曲度。

10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，去除所述多晶硅进一步包括：

采用四甲基氢氧化铵刻蚀去除所述多晶硅。

11.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：对剩余的多晶硅进行热处理，以调整所述半导体晶圆的翘曲度。

12.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述阵列共源极边缘的第一导电介质为氮化钛。

13.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二导电介质为金属钨。

14.一种三维存储器，其特征在于，包括衬底、衬底上方的堆叠结构及所述堆叠结构上方的层间介质层；

所述堆叠结构中形成有沿所述衬底高度方向贯穿所述堆叠结构的阵列共源极以及位于所述阵列共源极外围的台阶区域；

所述三维存储器还包括接触插塞，所述接触插塞包括通过在暴露阵列共源极的开口和台阶区域的顶部接触孔中填充第二导电介质而形成的部分；其中

暴露所述阵列共源极的开口和所述台阶区域的顶部接触孔在同一步骤中形成；

所述开口进一步暴露所述阵列共源极边缘的第一导电介质。

15.如权利要求14所述的三维存储器，其特征在于，所述开口在所述衬底高度方向的投影形状为圆形、矩形或椭圆形。