[发明专利]离子注入机台中硅片掉落的监测系统及方法有效
| 申请号: | 202011169706.2 | 申请日: | 2020-10-28 |
| 公开(公告)号: | CN112201602B | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
| 发明(设计)人: | 曹志伟;郑刚;张召;金新 | 申请(专利权)人: | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/317 |
| 代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 罗雅文 |
| 地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 离子 注入 机台 硅片 掉落 监测 系统 方法 | ||
本申请公开了一种离子注入机台中硅片掉落的监测系统及方法,涉及半导体制造领域。该离子注入机台中硅片掉落的监测系统包括光源发射器、光源接收装置;光源发射器与光源接收装置分别与离子注入机台的控制系统连接;光源发射器用于发射可见光;光源接收装置用于接收被载片盘反射的可见光,并根据接收的可见光的波长检测载片盘上吸附的硅片是否发生掉落;解决了目前离子注入机台无法监控硅片是否从支撑板上掉落的问题,达到了实时监控减薄硅片在进行背面离子注入时是否从支撑板上掉落,避免硅片从支撑板上掉落后束流对支撑板造成损害的效果。
技术领域
本申请涉及半导体制造领域,具体涉及一种离子注入机台中硅片掉落的监测系统及方法。
背景技术
在半导体制造领域,离子注入工艺在集成电路器件的生产过程中起到重要作用。离子注入工艺通过离子注入机台实现。
在离子注入时,需要将硅片放置在离子注入腔中,硅片通过静电吸附的方式被吸附在装载盘(platen)上,在注入过程中,通过装载盘的上下运动完成整面硅片的离子注入。
在IGBT区间的制作过程中,通常需要将硅片的厚度减薄至150um以下,然后再进行离子注入等背面工艺。当对IGBT器件进行背面离子注入工艺时,由于硅片较薄,容易发生翘曲,会采用贴支撑板(supporter)的方式来增加厚度,然后再将与硅片贴合的支撑板通过静电吸附的方式吸附于装载盘上。
目前,贴合支撑板的硅片在离子注入机台中进行离子注入的过程中,可以通过监控装载盘上的电流来判断支撑板是否从装载盘上脱落,但是无法监控硅片是否从支撑板上脱落。
发明内容
为了解决相关技术中的问题,本申请提供了一种离子注入机台中硅片掉落的监测系统及方法。
第一方面,本申请实施例提供了一种离子注入机台中硅片掉落的监测系统,该系统包括光源发射器、光源接收装置;
光源发射器与光源接收装置分别与离子注入机台的控制系统连接;
光源发射器用于发射可见光;
光源接收装置用于接收被载片盘反射的可见光,并根据接收的可见光的波长检测载片盘上吸附的硅片是否发生掉落。
可选的,光源接收装置用于检测接收到的可见光的波长是否与预设波长一致,并根据检测结果判断载片盘上吸附的硅片是否发生掉落。
可选的,光源接收装置包括光传感器和处理器;
光传感器用于接收被载片盘反射的可见光,并生成电信号;
处理器用于接收光传感器生成的电信号,并根据电信号检测载片盘上吸附的硅片是否发生掉落。
可选的,当光源接收装置检测到载片盘上吸附的硅片发生掉落时,光源接收装置用于向离子注入机台的控制系统发送警报信息。
第二方面,本申请实施例提供了一种离子注入机台中硅片掉落的监测方法,应用于如第一方面所示的离子注入机台中硅片掉落的监控系统,该方法包括:
在离子注入机台的载片盘上吸附有硅片时,通过光源发射器发射可见光;
通过光源接收装置接收载片盘反射的可见光;
通过光源接收装置根据接收的可见光的波长检测载片盘上吸附的硅片是否发生掉落。
可选的,通过光源接收装置根据接收的可见光检测载片盘上吸附的硅片是否发生掉落,包括:
通过光源接收装置检测接收到的可见光的波长是否与预设波长一致,并根据检测结果判断载片盘上吸附的硅片是否发生掉落。
可选的,光源接收装置包括光传感器和处理器;
通过光源接收装置接收载片盘反射的可见光,包括:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体(无锡)有限公司,未经华虹半导体(无锡)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011169706.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





