[发明专利]SAW滤波器加工与封装方法、SAW滤波器及通讯终端

说明书

本发明提供了一种SAW滤波器加工与封装方法、SAW滤波器及通讯终端，可以在单个压电衬底的两相对设置的第一表面和第二表面上分别设置相应的叉指电极，由此可以在单个压电衬底的第一表面和第二表面上实现了不同的滤波器的设置，从而提高了单位面积内的滤波器个数，集成度得到大的提高。

技术领域

本发明涉及集成电路加工与封装技术领域，特别涉及一种SAW滤波器加工与封装方法、SAW滤波器及通讯终端。

背景技术

SAW(Surface Acoustic Wave，表面声波) 滤波器件是目前主流的压电声波滤波器件之一，能够满足通讯终端使用的小尺寸滤波类器件的需求。

由于SAW滤波器技术相对成熟，价格相对低廉，且温度补偿SAW器件也日趋成熟，因此其在射频前端2.5GHz以下的频段应用中仍占据优势地位，尤其是在2G以下，基本上仍采用SAW滤波器。对于FDD（Frequency Division Duplexing，频分双工）而言，目前SAW双工器一般采用以下两种形式实现：（1）如图1所示，采用发射端滤波器Tx和接收端滤波器Rx先分别独立加工，然后一起做CSP封装（Chip Scale Package，芯片级封装）的形式实现；（2）如图2所示，采用发射端滤波器Tx和接收端滤波器Rx同时加工在一片晶圆上的形式实现。

然而上述的SAW双工器两种实现形式，都存在封装面积较大的问题，集成度不够高，难以满足通讯终端更高性能的需求。

发明内容

本发明的目的在于一种SAW滤波器加工与封装方法、SAW滤波器及通讯终端，能够提高单位面积内的器件个数，进而提高器件集成度。

为解决上述技术问题，本发明提供一种SAW滤波器加工与封装方法 ，包括：

提供具有相对设置的第一表面和第二表面的压电衬底，在所述压电衬底的第一表面上形成图形化的第一叉指电极和保护层，且所述保护层将所述第一叉指电极掩埋在内；

在所述压电衬底的第二表面上形成图形化的第二叉指电极，并将一第一盖体键合到所述压电衬底的第二表面上，所述第一盖体和所述压电衬底之间形成第一空腔，所述第二叉指电极位于所述第一空腔中；

去除所述保护层，并将一第二盖体键合到所述压电衬底的第一表面上，所述第二盖体和所述压电衬底之间形成第二空腔，所述第一叉指电极位于所述第二空腔中。

可选地，所述第一叉指电极和所述第二叉指电极分别用于形成同一SAW双工器的发射端滤波器和接收端滤波器；或者，所述第一叉指电极和所述第二叉指电极用于形成不同频段的SAW滤波器。

可选地，在所述压电衬底的第一表面上还形成有设置在所述第一叉指电极外围的第一键合件，所述第二盖体键合到所述第一键合件上；和/或，在所述压电衬底的第二表面上还形成有设置在所述第二叉指电极外围的第二键合件，所述第一盖体键合到所述第二键合件上。

可选地，所述第一盖体和所述第二盖体均为热膨胀系数不同于所述压电衬底的温度补偿板。

可选地，所述第一盖体和所述第二盖体分别选自硅衬底或陶瓷衬底或者玻璃衬底中的至少一种。

可选地，在所述压电衬底的第二表面上还形成有设置在所述第二叉指电极外围的第二焊盘，在键合所述第一盖体之后且在去除所述保护层之前，在所述第一盖体中形成第一导电插塞，所述第一导电插塞与所述第二焊盘电性接触。

可选地，在所述压电衬底的第一表面上还形成有设置在所述第一叉指电极外围的第一焊盘，在键合所述第二盖体之后，在所述第二盖体中形成第二导电插塞，所述第二导电插塞与所述第一焊盘电性接触。

基于同一发明构思，本发明还提供一种SAW滤波器封装结构，包括：

具有相对设置的第一表面和第二表面的压电衬底；