[发明专利]SAW滤波器加工与封装方法、SAW滤波器及通讯终端在审

专利信息
申请号: 202011160246.7 申请日: 2020-10-27
公开(公告)号: CN112018229A 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 项少华;王冲;罗传鹏;杨应田 申请(专利权)人: 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
主分类号: H01L41/047 分类号: H01L41/047;H01L41/053;H01L41/23;H01L41/29;H03H9/64
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 312000 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: saw 滤波器 加工 封装 方法 通讯 终端
【权利要求书】:

1.一种SAW滤波器加工与封装方法,其特征在于,包括:

提供具有相对设置的第一表面和第二表面的压电衬底,在所述压电衬底的第一表面上形成图形化的第一叉指电极和保护层,且所述保护层将所述第一叉指电极掩埋在内;

在所述压电衬底的第二表面上形成图形化的第二叉指电极,并将一第一盖体键合到所述压电衬底的第二表面上,所述第一盖体和所述压电衬底之间形成第一空腔,所述第二叉指电极位于所述第一空腔中;

去除所述保护层,并将一第二盖体键合到所述压电衬底的第一表面上,所述第二盖体和所述压电衬底之间形成第二空腔,所述第一叉指电极位于所述第二空腔中。

2.如权利要求1所述SAW滤波器加工与封装方法,其特征在于,所述第一叉指电极和所述第二叉指电极分别用于形成同一SAW双工器的发射端滤波器和接收端滤波器;或者,所述第一叉指电极和所述第二叉指电极用于形成不同频段的SAW滤波器。

3.如权利要求1所述的SAW滤波器加工与封装方法,其特征在于,在所述压电衬底的第一表面上还形成有设置在所述第一叉指电极外围的第一键合件,所述第二盖体键合到所述第一键合件上;和/或,在所述压电衬底的第二表面上还形成有设置在所述第二叉指电极外围的第二键合件,所述第一盖体键合到所述第二键合件上。

4.如权利要求1所述的SAW滤波器加工与封装方法,其特征在于,所述第一盖体和所述第二盖体均包括热膨胀系数不同于所述压电衬底的温度补偿板。

5.如权利要求1所述的SAW滤波器加工与封装方法,其特征在于,所述第一盖体和所述第二盖体分别选自硅衬底、陶瓷衬底或者玻璃衬底中的至少一种。

6.如权利要求1所述的SAW滤波器加工与封装方法,其特征在于,在所述压电衬底的第二表面上还形成有设置在所述第二叉指电极外围的第二焊盘,在键合所述第一盖体之后且在去除所述保护层之前,在所述第一盖体中形成第一导电插塞,所述第一导电插塞与所述第二焊盘电性接触。

7.如权利要求1所述的SAW滤波器加工与封装方法,其特征在于,在所述压电衬底的第一表面上还形成有设置在所述第一叉指电极外围的第一焊盘,在键合所述第二盖体之后,在所述第二盖体中形成第二导电插塞,所述第二导电插塞与所述第一焊盘电性接触。

8.一种SAW滤波器封装结构,其特征在于,包括:

具有相对设置的第一表面和第二表面的压电衬底;

图形化的第一叉指电极,形成在所述压电衬底的第一表面上;

图形化的第二叉指电极,形成在所述压电衬底的第二表面上;

第一盖体,键合到所述压电衬底的第二表面上,且所述第一盖体和所述压电衬底之间形成第一空腔,所述第二叉指电极位于所述第一空腔中;

第二盖体,键合到所述压电衬底的第一表面上,且所述第二盖体和所述压电衬底之间形成第二空腔,所述第一叉指电极位于所述第二空腔中。

9.如权利要求8所述的SAW滤波器封装结构,其特征在于,在所述压电衬底的第一表面上还形成有设置在所述第一叉指电极外围的第一焊盘,所述第二盖体上还设置有第二导电插塞,所述第二导电插塞贯穿所述第二盖体并与所述第一焊盘电性接触;和/或,在所述压电衬底的第二表面上还形成有设置在所述第二叉指电极外围的第二焊盘,所述第一盖体上还设置有第一导电插塞,所述第一导电插塞贯穿所述第一盖体并与所述第二焊盘电性接触。

10.一种通讯终端,其特征在于,具有权利要求8或9所述的SAW滤波器封装结构。

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