[发明专利]半导体装置以及该半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，该半导体装置包括：

层叠结构，该层叠结构包括交替地层叠的多个导电图案和多个绝缘层；

沟道结构，该沟道结构穿透所述层叠结构；以及

存储器层，该存储器层穿透所述层叠结构，该存储器层设置在所述沟道结构和所述层叠结构之间，

其中，所述存储器层包括交替地布置的多个存储器部分和多个虚设部分，

其中，各个所述存储器部分包括介于多个所述绝缘层之间的第一部分以及介于多个所述虚设部分之间的第二部分，并且

其中，所述存储器部分的所述第一部分具有铁电性。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述存储器部分的所述第二部分和所述虚设部分具有铁电性，并且

其中，所述存储器部分的最大残余极化强度大于所述虚设部分的最大残余极化强度。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，各个所述存储器部分处具有正交晶系的晶体结构的单晶的体积比大于各个所述虚设部分处具有所述正交晶系的晶体结构的单晶的体积比。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述存储器部分和所述虚设部分具有相同的组成。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述存储器部分的矫顽电场的绝对值大于所述虚设部分的矫顽电场的绝对值。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述沟道结构包括朝着所述导电图案突出的突出部分。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述突出部分设置在多个所述虚设部分之间。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述虚设部分具有顺电性。

9.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，彼此相邻的多个所述导电图案之一和多个所述存储器部分之一的中心水平相同。

10.一种半导体装置，该半导体装置包括：

层叠结构，该层叠结构包括交替地层叠的多个导电图案和多个绝缘层；

沟道结构，该沟道结构穿透所述层叠结构；以及

存储器层，该存储器层穿透所述层叠结构，该存储器层设置在所述沟道结构和所述层叠结构之间，

其中，所述存储器层包括交替地布置的多个存储器部分和多个虚设部分，

其中，各个所述存储器部分包括介于多个所述绝缘层之间的第一部分以及介于多个所述虚设部分之间的第二部分，

其中，所述存储器部分具有铁电性，并且

所述虚设部分具有顺电性。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述第一部分与多个所述绝缘层中的一个绝缘层的顶表面和多个所述绝缘层中的另一个绝缘层的底表面接触。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述沟道结构包括朝着所述导电图案突出的突出部分。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述突出部分设置在多个所述虚设部分之间。

14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，各个所述突出部分的中心水平等于各个所述导电图案的中心水平。

15.根据权利要求10所述的半导体装置，该半导体装置还包括穿透所述层叠结构的填充层，该填充层设置在沟道层中，

其中，所述导电图案与所述填充层之间的最短距离大于所述绝缘层与所述填充层之间的最短距离。

16.根据权利要求10所述的半导体装置，该半导体装置还包括介于所述存储器层和所述层叠结构之间的插置层。