[发明专利]承载装置及半导体工艺设备

说明书

本申请实施例提供了一种承载装置及半导体工艺设备。该承载装置包括：基座及匀热机构；基座包括匀热盘和加热盘，匀热盘设置于加热盘上，加热盘用于加热匀热盘；匀热盘具有一上表面，上表面用于承载待加工工件，并且上表面的指定区域内开设有凹槽；匀热机构包括匀热板，匀热板可活动地设置于凹槽内，匀热板在凹槽内升降并选择性定位于多个预设位置；匀热盘和匀热板均为导热材质，通过调整匀热板和待加工工件间的距离，以调整凹槽所对应区域的热传导效能。本申请实施例实现了匀热板对应区域的热传导性能降低，使得待加工工件与该对应区域对应的区域工艺速率降低，从而大幅提高了待加工工件的工艺均匀性。

技术领域

本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，本申请涉及一种承载装置及半导体工艺设备。

背景技术

目前，在集成电路(Integrated Circuit，IC)的制造工艺中，晶圆在工艺腔室中经过刻蚀工艺后，会进入去胶腔室执行去胶工艺,去胶工艺主要是将晶圆置于高温环境中，微波源产生的等离子体与晶圆表面的光刻胶(Photoresist)反应，形成挥发性的副产物，并且被真空系统抽走从而达到去胶的目的。

现有技术中，微波源产生等离子体先经过匀流结构(Showerhead)的上层板中心圆孔进入匀流腔，然后再通过下层板上的匀流孔进入去胶腔室，然后和晶圆表面的光刻胶反应，生成挥发性的副产物，经真空系统抽走。由于现有的匀流结构存在设计缺陷，使得晶圆中部区域等离子体密度较高，导致边缘区域的等离子体密度较低，使得晶圆中部区域去胶速率快，而边缘区域的去胶速率慢，从而导致晶圆的片内去胶速率均匀性较差，其均匀性仅能达到17.83％。由于晶圆片内的去胶速率从中部区域至边缘区域呈现逐步降低趋势，因此容易产生晶圆工艺均匀性较差以及产能较低的问题。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种承载装置及半导体工艺设备，用以解决现有技术存在的工艺均匀性较差及产能较低的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种承载装置，用于设置于半导体工艺设备的工艺腔室内以承载待加工工件，包括：基座及匀热机构；所述基座包括匀热盘和加热盘，所述匀热盘设置于所述加热盘上，所述加热盘用于加热所述匀热盘；所述匀热盘具有一上表面，所述上表面用于承载所述待加工工件，并且所述上表面的指定区域内开设有凹槽；所述匀热机构包括匀热板，所述匀热板可活动地设置于所述凹槽内，所述匀热板在所述凹槽内升降并选择性定位于多个预设位置；所述匀热盘和所述匀热板均为导热材质，通过调整所述匀热板和所述待加工工件间的距离，以调整所述凹槽所对应区域的热传导效能。

于本申请的一实施例中，所述匀热板的顶面上形成有摩擦结构，所述摩擦结构用于所述匀热板与所述待加工工件接触时,增加所述匀热板的顶面与所述待加工工件之间的摩擦力。

于本申请的一实施例中，所述摩擦结构包括形成于所述匀热板顶面的多个凸部，并且多个所述凸部呈阵列分布。

于本申请的一实施例中，所述摩擦结构具有一预设粗糙度，所述预设粗糙度为3至10微米。

于本申请的一实施例中，所述基座还包括聚焦环，所述聚焦环设置于所述上表面上，用于对所述待加工工件进行限位；所述指定区域为所述聚焦环内缘在所述上表面限定的区域。

于本申请的一实施例中，所述匀热盘的轴向厚度尺寸大于所述凹槽的轴向深度尺寸。

于本申请的一实施例中，所述匀热板的形状与所述凹槽沿径向的截面形状相同，并且所述匀热板的外缘与所述凹槽的内周壁间隙配合。

于本申请的一实施例中，所述匀热板为圆形、圆环形、矩形或者三角形。

于本申请的一实施例中，所述匀热机构还包括驱动结构，所述驱动结构包括升降组件及驱动部，所述升降组件穿设于所述加热盘和所述匀热盘上，所述升降组件的顶端伸入所述凹槽内并与所述匀热板连接，底端与所述驱动部连接；所述驱动部通过驱动所述升降组件带动所述匀热板升降。